[发明专利]半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法

说明书

本发明公开一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可包括多个存储器单元。外围电路可将共享页面数据编程在多个存储器单元之中的所选择的存储器单元上。控制逻辑可在对所选择的存储器单元的编程操作期间，控制外围电路，以将共享页面数据的第一部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到第一字线的存储器单元，并且将共享页面数据的第二部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到不同于第一字线的第二字线的存储器单元。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月24日提交的申请号为10-2018-0059291的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法。

背景技术

通常，存储器装置可具有二维结构或三维结构，在二维结构中串被水平地布置在半导体衬底上，在三维结构中串被垂直地堆叠在半导体衬底上。三维存储器装置可以是被设计成克服二维存储器装置的集成度限制的装置，并且可包括垂直地堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种能够提高数据集成度的半导体存储器装置。

本公开的各个实施例涉及一种操作能够提高数据集成度的半导体存储器装置的方法。

本公开的实施例可提供一种半导体存储器装置，包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可包括多个存储器单元。外围电路可将共享页面数据编程在多个存储器单元之中的所选择的存储器单元上。控制逻辑可在对所选择的存储器单元的编程操作期间，控制外围电路，以将共享页面数据的第一部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到第一字线的存储器单元，并且将共享页面数据的第二部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到不同于第一字线的第二字线的存储器单元。

在实施例中，控制逻辑可控制外围电路以生成用于第一页面数据和共享页面数据的第一位状态映射关系；通过将包括在第一位状态映射关系中的状态之中包括在第一组中的状态彼此组合来生成第二位状态映射关系；并且基于第二位状态映射关系对第一页面数据和第一部分数据进行编程。

在实施例中，控制逻辑可控制外围电路以生成用于第二页面数据和共享页面数据的第一位状态映射关系；通过将包括在第一位状态映射关系中的状态之中包括在第二组中的状态彼此组合来生成第三位状态映射关系；并且基于第三位状态映射关系对第二页面数据和第二部分数据进行编程。

在实施例中，第一页面数据可包括第一最高有效位(MSB)页面数据和第一中央有效位(CSB)页面数据。第二页面数据可包括第二MSB页面数据和第二CSB页面数据。共享页面数据可以是最低有效位(LSB)页面数据。联接到第一字线的存储器单元和联接到第二字线的存储器单元可一起存储共计五个位。

在实施例中，第一位状态映射关系可包括八个级别的状态，第一组可包括第一状态、第二状态、第三状态和第四状态，第二组可包括第五状态、第六状态、第七状态和第八状态。第二位状态映射关系可通过将第一和第二状态彼此组合并将第三和第四状态彼此组合来生成。第三位状态映射关系可通过将第五和第六状态彼此组合并将第七和第八状态彼此组合来生成。

在实施例中，第一页面数据可包括第一最高有效位(MSB)页面数据、第一较高中央有效位(HCSB)页面数据和第一较低中央有效位(LCSB)页面数据。第二页面数据可包括第二MSB页面数据、第二HCSB页面数据和第二LCSB页面数据。共享页面数据可以是最低有效位(LSB)页面数据。联接到第一字线的存储器单元和联接到第二字线的存储器单元可一起存储共计七个位。