[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一封装，包括：第一半导体芯片、将所述第一半导体芯片覆盖的第一封装层、与所述第一半导体芯片的焊盘连接的第一再分布图案和接触所述第一封装层的下表面和所述第一再分布图案的第一绝缘图案；以及

第二封装，在所述第一封装上，所述第二封装包括：第二半导体芯片、将所述第二半导体芯片覆盖的第二封装层、和与所述第二半导体芯片的焊盘连接的第二再分布图案，

其中所述第一再分布图案通过所述第一封装层被连接到所述第二再分布图案，并且

其中所述第一封装层包括从所述第一封装层的上表面延伸到与所述第一封装层的所述上表面相对的所述第一封装层的所述下表面的第一通孔，

其中所述第一再分布图案沿着所述第一封装层的所述下表面和所述第一通孔的侧壁连续延伸，并且直接连接到所述第二再分布图案，

其中所述第一再分布图案部分地填充所述第一通孔，

其中所述第一绝缘图案部分地填充所述第一通孔并且接触在所述第一通孔中提供的所述第一再分布图案，

其中所述第一封装层接触所述第一半导体芯片的其中设置有所述第一半导体芯片的焊盘的下表面，并且

其中所述第一再分布图案直接接触所述第一封装层的所述下表面和所述第一通孔的所述侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第一封装层包括光敏绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第一封装层将所述第一半导体芯片的侧表面覆盖。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二封装进一步包括：

无源器件，电连接到所述第二再分布图案。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第二封装层将所述第二半导体芯片的设置有所述第二半导体芯片的焊盘的表面的至少一部分覆盖。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第二封装层包括光敏绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：

第二绝缘图案，将所述第二半导体芯片的设置有所述第二半导体芯片的焊盘的表面的至少一部分覆盖，

其中所述第二封装层将所述第二半导体芯片的侧表面覆盖。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：

电磁屏蔽层，将所述第一封装的至少一部分和所述第二封装的至少一部分覆盖。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，进一步包括：

外部封装层，将所述第一封装、所述第二封装和所述电磁屏蔽层覆盖。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，进一步包括：

下部导电层，在所述第一封装和所述外部封装层上延伸，

其中所述下部导电层连接到所述第一封装的所述第一再分布图案以及所述电磁屏蔽层。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，进一步包括：

导热膜，设置在所述第一封装和所述外部封装层上，并且将所述下部导电层的至少一部分覆盖。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：

第三封装，设置在所述第一封装的下方，

其中所述第三封装包括：第三半导体芯片、集成无源器件IPD、将所述第三半导体芯片和所述IPD覆盖的第三封装层、以及通过所述第三封装层被连接到所述第一再分布图案的第三再分布图案。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，

所述第三半导体芯片包括人工智能AI处理器。

14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，

所述IPD是环形的以围绕所述第三半导体芯片。