[发明专利]一种发光二极管原材料加热磷扩装置有效
申请号: | 201910049551.X | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN109817518B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 邓博强 | 申请(专利权)人: | 重庆市妙格科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人: | 陈立荣 |
地址: | 409199 重庆市石柱土家族自治*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 原材料 加热 装置 | ||
本发明公开了一种发光二极管原材料加热磷扩装置,包括有底板、斜槽、机壳与工作箱,所述底板的下表面的四角处固定连接有橡胶垫,所述底板的上表面一侧边缘处通过螺丝螺母固定连接有所述机壳,储存箱的下表面固定连接有加热铜管,所述加热铜管的下表面电性连接有加热器,所述加热器的正下方设置有电源,所述电源通过螺丝螺母固定在所述机壳的下表面,所述工作箱通过固定板、螺丝螺母固定于所述斜槽的上表面,所述工作箱的外侧表面设置有开关,固定器固定于所述工作箱的内部,工作台的上表面固定有警示灯,通过将连接杆与固定器取出,将二极管放进固定器中进行固定,随后放进工作箱中,由加热器与加热铜管的作用对其进行加热,对二极管进行扩磷。
技术领域
本发明涉及一种磷扩装置,特别涉及一种发光二极管原材料加热磷扩装置,属于二极管应用技术领域。
背景技术
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管),根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等,按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管,点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”,由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等,面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中,平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中,二极管的正负二个端子,正端A称为阳极,负端K ;称为阴极,电流只能从阳极向阴极方向移动,一些初学者容易产生这样一种错误认识:“半导体的一‘半’是一半的‘半’;而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的),所有二极管就是半导体 ;”,其实二极管与半导体是完全不同的东西,我们只能说二极管是由半导体组成的器件,半导体无论那个方向都能流动电流,而对二极管进行磷扩则需要精密的设备。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种发光二极管原材料加热磷扩装置,具备实用性强、便于使用等优点,解决了磷扩时效率低的问题。
(二)技术方案
为实现上述实用性强、便于使用目的,本发明提供如下技术方案:
一种发光二极管原材料加热磷扩装置,包括有底板、斜槽、机壳与工作箱,所述底板的下表面的四角处固定连接有橡胶垫,所述底板的上表面一侧边缘处通过螺丝螺母固定连接有所述机壳,储存箱的下表面固定连接有加热铜管,所述加热铜管的下表面电性连接有加热器,所述加热器的正下方设置有电源,所述电源通过螺丝螺母固定在所述机壳的下表面,所述工作箱通过固定板、螺丝螺母固定于所述斜槽的上表面,所述工作箱的外侧表面设置有开关,固定器固定于所述工作箱的内部,工作台的上表面固定有警示灯,工作台的底表面通过螺丝螺母固定有泵机,工作台与所述斜槽为一体成型。
优选的,所述机壳远离所述底板的一侧面固定连接有显示屏控制面板,所述机壳靠近所述底板的一侧面连接有工作台,所述机壳靠近所述底板的一侧面底部连通有阀门,所述阀门一端连接有输送管,而所述机壳内部的储存箱与所述输送管通过所述阀门相通。
优选的,所述机壳的内部侧表面固定连接有温度传感器,所述输送管远离所述机壳的一端连接有箱体,所述箱体的一侧面连接有连通管,且所述连通管的另一端与所述工作箱的内部相通。
优选的,所述固定器的表面开设有连通孔,所述固定器的底端连接有玻璃罩,所述玻璃罩的侧面设置有微型摄像头,所述微型摄像头通过螺丝螺母固定于工作箱的内侧表面,所述玻璃罩的正下方设置有海绵垫,所述海绵垫的底端连接有支撑柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造