[发明专利]京红早樱的组织培养快速繁殖方法

权利要求书

1.一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）提供外植体：以当年抽条的至少含有一个腋芽的茎段为外植体；

（b）外植体消毒：先用65-75vt%的酒精浸泡10-15s，然后用0.5-0.8wt%H₂O₂溶液浸泡摇动10-15min，再用0.1-0.2 wt%HgCl₂溶液浸泡摇动4-5min，用无菌水冲洗3-5次，去除表面水分；

（c）启动培养：将步骤（b）消毒后的茎段转移至启动培养基中，培养15-20天开始形成丛生芽，培养25-30天获得不定芽苗；启动培养基为：3/4MS+6-BA 1-2mg/L+NAA 0.05-0.15mg/L+PVP 0.5-1.5g/L+凝胶剂0.4-0.6 wt%+碳源3-4wt%，pH 5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度1000-1500lux，每天的光照时间12-14h；

（d）增殖培养：将步骤（c）新抽出的腋芽2-3cm接种到增殖培养基中，培养30-35天后形成丛生苗；增殖培养基为：3/4MS+6-BA 1.5-2mg/L +IBA 0.05-0.15mg/L+GA₃ 0.1-0.3mg/L+GO凝胶液4-6ml/L；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度1500-2000lux，每天的光照时间12-14h；

（e）壮苗培养：将步骤（d）获得的丛生苗接种到壮苗培养基中，培养25-30天后获得壮苗；壮苗培养基为3/4MS+6-BA 0.4-0.6mg/L+NAA 0.005-0.015mg/L+GA₃ 0.04-0.06mg/L+GO凝胶液4-6ml/L+凝胶剂0.5-0.7wt%+碳源1-3wt%，pH 5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度2000-2500lux，每天的光照时间12-14h；

（f）生根培养：将步骤（e）获得的壮苗2-3cm接种到生根培养基中，培养30-35天；生根培养基为：1/2MS+NAA 0.2-0.4mg/L+IBA 0.1-0.3mg/L +AC 0.5-1.5g/L+GO凝胶液9-11ml/L+凝胶剂0.5-0.7wt%+碳源1-3wt%，pH 5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度2000-2500lux，每天的光照时间15-17h；

（g）炼苗移栽：生根培养30-35天后，先将组培器皿封口盖松动但不打开，在温度为25-28℃，光照强度为2000-2500lux的环境条件下炼苗2-3天，再将组培器皿封口盖打开露出缝隙后炼苗2-3天，然后将组培器皿封口盖完全打开后炼苗2-3天后移栽；

选择根长2cm以上、生根数3条以上以及生长健壮的组培苗进行移栽，将根部清洗和消毒后的组培苗移栽到灭过菌的基质中，覆膜培养，早晚喷水，一周后，部分揭膜，继续培养一周后，全部揭膜，保持土壤湿润，培养30-35天后移栽到大田；基质包括腐殖土、珍珠岩和蛭石，腐殖土、珍珠岩和蛭石的质量比为5-7:2-4:1。

2.按照权利要求1所述的京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤（a）中，所述外植体取自当年抽出的新嫩枝条，保留4-6mm叶柄和枝条顶端幼嫩部分，截段2-3cm。

3.按照权利要求1所述的京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤（c）中，启动培养基为：3/4MS+6-BA 1.5mg/L+NAA 0.1mg/L+PVP 1g/L+凝胶剂0.5wt%+碳源3wt%，pH5.8。

4.按照权利要求1所述的京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤（d）中，增殖培养基为：3/4MS+6-BA 2mg/L +IBA 0.1mg/L+GA₃ 0.2mg/L+GO凝胶液5ml/L。

5.按照权利要求1所述的京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤（f）中，生根培养基为：1/2MS+NAA 0.3mg/L+IBA 0.2mg/L +AC 1g/L+GO凝胶液10ml/L+凝胶剂0.6wt%+碳源2wt%，pH 5.8。