[发明专利]电荷量检测装置及方法有效
申请号: | 201910052128.5 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN109786197B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 姚明明;秦心宇 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/244 | 分类号: | H01J37/244;H01J37/317;G01R29/24 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 检测 装置 方法 | ||
本发明涉及一种电荷量检测装置,包括:支撑板;至少一个电荷承载单元,设置于所述支撑板上;至少一个电压检测单元,一一对应地与所述电荷承载单元电连接;控制单元,与各所述电压检测单元电连接。上述电荷量检测装置,电荷承载单元用于接受离子注入,电压检测单元与电荷承载单元和控制单元连接,控制单元可控制电压检测单元的不同时刻采集电荷承载单元上的电压信号,由于电压检测单元与电荷承载单元一一对应地连接,故控制单元可采集整个离子注入区域内每个电荷承载单元的电压,进而计算出每个电荷承载单元的电荷量,从而得到整个离子注入区域内电荷承载单元的电荷分布情况。
技术领域
本发明涉及设备检测领域,特别是涉及电荷量检测装置及方法。
背景技术
随着LTPS(Low Temperature Poly Silicon,低温多晶硅)技术的发展,离子注入工艺被引入显示面板的制备工艺中并扮演越来越重要的角色。离子注入过程中检测基板的掺杂情况可防止基板电势积累过高,影响掺杂结果,损坏器件,防止对后续工艺产生影响。故研究离子注入过程中基板表面电荷的分布情况能够有效的提升离子注入的效果,使器件达到最佳电性性能。
通常,在离子注入工艺中可采用法拉第杯检测离子束的束流大小。而法拉第杯只能监测离子束的束流大小,无法监测离子束注入基板后基板上的电荷分布情况。
发明内容
本发明提供了一种电荷量检测装置及方法,以实现对注入电荷量的检测。
一种电荷量检测装置,包括:支撑板;至少一个电荷承载单元,设置于所述支撑板上;至少一个电压检测单元,一一对应地与所述电荷承载单元电连接;控制单元,与各所述电压检测单元电连接。
上述电荷量检测装置,电荷承载单元用于接受离子注入,电压检测单元与电荷承载单元电连接,控制单元与电压检测单元电连接,通过这样的电荷量检测装置的结构设计,可以得到注入过程中电荷承载单元所承载的电荷量,进而可获取在相同条件下相同位置处所放置的基板所承载的电荷量。
在其中一个实施例中,所述电荷量检测装置包括多个所述电压检测单元和多个所述电荷承载单元,多个所述电压检测单元和多个所述电荷承载单元数量相同且一一对应连接,其中,所述电荷承载单元呈阵列排布在所述支撑板上。
上述电荷量检测装置,通过设置多个相互配合工作的电荷承载单元与电压检测单元,多个电荷承载单元用于接受离子注入,控制单元控制多个电压检测单元在不同时刻采集多个电荷承载单元上的电压信号。通过这样的电荷量检测装置的结构设计,可以根据电压信号计算出每个电荷承载单元的电荷量,从而得到整个离子注入区域内多个电荷承载单元的电荷分布情况,为改善离子注入设备的性能提供了依据。
在其中一个实施例中,所述电压检测单元一一对应的设置在所述电荷承载单元和所述支撑板之间。
在其中一个实施例中,所述电荷承载单元包括电容,所述电容包括第一极板、第二极板以及位于所述第一极板和所述第二极板之间的绝缘介质,所述第二极板贴附于所述电压检测单元。
在其中一个实施例中,所述第一极板与所述电压检测单元电连接,所述第二极板接地。
在其中一个实施例中,所述电压检测单元包括电感,所述电感一端连接所述第一极板,另一端连接所述控制单元。
在其中一个实施例中,多个所述电感和所述电容一一对应设置,且多个所述电感和所述电容阵列排布。
在其中一个实施例中,电荷量检测装置还包括数据存储单元,与所述控制单元连接,用于存储所述第一极板的电压信息;优选地,所述电荷量检测装置还包括屏蔽层,设置于所述支撑板上,用于包覆所述控制单元和所述数据存储单元。
一种电荷量检测方法,包括:提供电荷量检测装置,所述电荷量检测装置包括至少一个电压检测单元和至少一个电荷承载单元,所述电压检测单元和所述电荷承载单元电连接;
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