[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体基材，具有多个突出部；

一介电层，设于该半导体基材之上，该介电层具有多个设于所述突出部之上的区域；以及

一硅化物层，设于所述突出部的一第一侧壁、所述区域的一第二侧壁、以及该半导体基材的一上表面之上，该上表面邻近该第一侧壁；

其中该硅化物层的一下表面低于该半导体基材的一第一表面，

其中所述突出部具有一第一下宽度及一第一上宽度，该第一上宽度小于该第一下宽度，所述区域具有一第二下宽度及一第二上宽度，该第二上宽度小于该第二下宽度。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一侧壁及该第二侧壁的沿一垂直方向的斜率一致。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述突出部及设于所述突出部之上的所述区域是配置呈一反漏斗构型。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中设于该第一侧壁及该第二侧壁之上的该硅化物层的厚度与该上表面之上的该硅化物层的厚度实质上相同。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中设于该第一侧壁及该第二侧壁之上的该硅化物层的厚度实质上大于该上表面之上的该硅化物层的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中设于该第一侧壁及该第二侧壁之上的该硅化物层的厚度与该上表面之上的该硅化物层的厚度比例实质上相同或小于10：1。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中设于该第一侧壁及该第二侧壁之上的该硅化物层的厚度与该上表面之上的该硅化物层的厚度比例实质上相同或大于1：10。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中设于该第一侧壁及该第二侧壁之上的该硅化物层的厚度从该介电层的一正面朝向该上表面渐缩。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中设于该上表面之上的该硅化物层的晶相与设于该第一侧壁及该第二侧壁之上的该硅化物层的晶相实质上相同。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一半导体基材，具有多个突出部；

设置一介电层，具有分别位于所述突出部之上的多个区域；

设置一衬垫，于所述突出部的一第一侧壁及所述区域的一第二侧壁之上；

设置一金属层，于该衬垫之上、该介电层的一正面及该半导体基材的一上表面之上；

进行一热处理工艺，至少使该金属层的一部分与该衬垫及该半导体基材反应以形成一硅化物层；以及

进行一湿式蚀刻工艺，以去除位于该介电层的一正面之上的该金属层的一不反应部分。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中设置该衬垫于所述突出部的该第一侧壁及所述区域的该第二侧壁之上包括：

设置该衬垫于该介电层的远离该半导体基材的一正面、该第一侧壁、该第二侧壁、及该半导体基材的邻近于该第一侧壁的一上表面之上；以及

通过蚀刻去除位于该正面及该上表面之上的该衬垫。

12.如权利要求10所述的制造方法，其中设于该第一侧壁与该第二侧壁之上的该衬垫的沿着垂直方向的厚度一致。

13.如权利要求10所述的制造方法，其中该金属层另设于该介电层的一正面之上，且位于该正面之上的该金属层的该不反应部分在进行该热处理工艺之后被去除。

14.如权利要求13所述的制造方法，其中设于该正面之上的该金属层的厚度与设于该上表面之上的该金属层的厚度比例实质上相同或小于100：1。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中设于该正面之上的该金属层的厚度与设于该上表面之上的该金属层的厚度比例实质上相同或大于1：1。