[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、及一硅化物层；在一些实施例中，该半导体基材具有多个突出部。该介电层设于该半导体基材之上，该介电层具有多个设于所述突出部之上的区域。该硅化物层设于所述突出部的一第一侧壁、所述区域的一第二侧壁、以及该半导体基材的一上表面之上，该上表面邻近该第一侧壁。在一些实施例中，该硅化物层的一下表面低于该半导体基材的一第一表面。

技术领域

本公开主张2018/09/20申请的美国正式申请案第16/137,236号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开关于一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

对许多现代应用来说，使用半导体装置的电子设备是必要的。随着电子技术的进步，半导体装置的尺寸逐渐微小化，其也具有更好的功能以及更多的集成电路。一般半导体装置的制造包括置放许多元件于一半导体基材之上。

当一承接接触孔自对准至一控制栅极时，因为主动区域的微小空间，形成于该主动区域的硅化物层于减少晶体管串连电阻中无法达到重要作用，因为没有主动区位于承接接触区与晶体管栅极间隔物之间。因此，有必要减少半导体装置中的串联电阻。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开一方面提供一种半导体结构。该半导体结构包括一半导体基材、一介电层、及一硅化物层；在一些实施例中，该半导体基材具有多个突出部。该介电层设于该半导体基材之上，该介电层具有多个设于所述突出部之上的区域。该硅化物层设于所述突出部的一第一侧壁、所述区域的一第二侧壁、以及该半导体基材的一上表面之上，该上表面邻近该第一侧壁。在一些实施例中，该硅化物层的一下表面低于该半导体基材的一第一表面。

本公开另一方面提供一种半导体结构的制造方法。该制造方法包括提供一半导体基材，具有多个突出部；设置一介电层，具有分别位于所述突出部之上的多个区域；设置一衬垫，于所述突出部的一第一侧壁及所述区域的一第二侧壁之上；设置一金属层，于该衬垫之上、该介电层的一正面及该半导体基材的一上表面之上；进行一热处理工艺，至少使该金属层的一部分与该衬垫及该半导体基材反应以形成一硅化物层；以及进行一湿式蚀刻工艺，以去除位于该介电层的一正面之上的该金属层的一不反应部分。

本公开又一方面提供一种半导体结构的制造方法。该制造方法包括提供一半导体基材；设置一介电层，于该半导体基材之上；形成多个沟槽及多个通孔，所述沟槽位于该半导体基材中，所述通孔位于该介电层中，其中所述通孔分别与所述沟槽相通；设置一衬垫，在由所述沟槽显露的该半导体基材与由所述通孔显露的该介电层之上；去除设置于一上表面之上的该衬垫，该上表面通过该半导体基材的所述沟槽显露；去除设置于该介电层的一正面之上的该衬垫的一部分；设置一金属层，于该衬垫、该介电层的一正面、及该半导体基材的该上表面之上；进行一热处理工艺，使该金属层与该衬垫及该半导体基材反应以形成一硅化物层；以及进行一湿式蚀刻工艺，以去除设置于该介电层的一正面之上的该金属层的一不反应部分。

通过上述的半导体结构及半导体结构的制造方法，进行该热处理工艺以使金属层的一部分与该半导体基材反应以形成硅化物层。如此一来，晶体管的串连电阻可以被降低。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明