[发明专利]层叠体及其制造方法

说明书

本发明提供一种层叠体的制造方法，包括：在第一基材的第1面上形成阻气层的工序；在第二基材的第1面上形成粘接剂层的工序，所述粘接剂层包含分子内具有多个羟基的树脂化合物以及多异氰酸酯化合物；以及将所述阻气层的经表面处理后的第1面与所述第二基材的形成有粘接剂层的面贴合的工序，在所述粘接剂层的内部，所述树脂化合物的羟基与所述多异氰酸酯化合物的异氰酸酯基反应，从而进行形成氨基甲酸酯键的反应。本发明还提供一种层叠体。

本申请是申请号为201480065608.0、申请日为2014年12月11日、发明名称为“层叠体及阻气膜”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及层叠体及阻气膜，特别是涉及包含通过原子层沉积法形成于基材面上的原子层沉积膜的层叠体及包含该层叠体的阻气膜。

本申请基于2013年12月11日在日本申请的特愿2013-256411号主张优先权，其内容以引用方式并入本文。

背景技术

目前，利用使物质像气体那样呈在原子或分子水平上运动的状态的气相从而在物体的表面上形成薄膜的方法有化学气相沉积(称为CVD(Chemical Vapor Deposition)。以下，称为“CVD”。)法和物理气相沉积(称为PVD(Physical Vapor Deposition)。以下，称为“PVD”。)法。

作为PVD法，例如有真空蒸镀法或溅射法等。对于溅射法来说，装置成本通常较高，但可进行膜质及厚度的均匀性优异的高质量的薄膜的成膜。因此，溅射法被广泛应用于液晶显示器等显示器件中。

CVD法是向真空腔室内导入原料气体，通过热能使1种或两种以上的气体在基板上分解或反应从而使固体薄膜生长的方法。

此时，为了促进成膜时的反应，或为了降低反应温度，有时并用等离子体或催化剂(Catalyst)反应。

其中，将使用等离子体反应的CVD法称为PECVD(Plasma Enhanced CVD)法。另外，将利用催化剂反应的CVD法称为Cat-CVD法。

当使用上述的CVD法时，成膜缺陷变少。因此，上述的CVD法适用于(例如)半导体器件的制造工序(例如，栅极绝缘膜的成膜工序)等。

近年来，作为成膜方法，原子层沉积法(ALD(Atomic Layer Deposition)法。以下，称为“ALD法”。)备受关注。

ALD法是将表面吸附的物质通过表面的化学反应而以原子水平逐层成膜的方法。ALD法被分类于CVD法的范畴。

所谓CVD法(普通的CVD法)是使用单一气体或同时使用多种气体在基板上反应而使薄膜生长的方法。与此相对，ALD法交替使用前体(第一前体)或被称为前驱物质的富有活性的气体和反应性气体(在ALD法中被称为前体(第二前体))。由此，ALD法是通过在基板表面上的吸附和与该吸附接续的化学反应从而使薄膜以原子水平逐层生长的特殊的成膜方法。

ALD法的具体的成膜方法通过以下那样的方法进行。

首先，利用所谓的自限制效应(基板上的表面吸附中，当表面被某种气体覆盖时，则不再发生该气体的吸附的现象)，在基板上仅吸附一层前体后，就对未反应的前体排气(第一步骤)。

接着，向腔室内导入反应性气体，使先前的前体氧化或还原而仅形成一层具有期望组成的薄膜后，将反应性气体排气(第二步骤)。

在ALD法中，通过将上述第一及第二步骤设为一个循环，并重复进行该循环，从而使薄膜在基板上生长。

因此，ALD法中，薄膜二维地生长。另外，与现有的真空蒸镀法或溅射法等相比，优势不言而喻，即使与一般的CVD法相比，ALD法也是成膜缺陷较少的方法。

因此，期待着向食品及药品等的包装领域或电子零件领域等的广大的领域的应用。