[发明专利]用于物理气相沉积腔室的双极准直器

权利要求书

1.一种设备，所述设备包括：

双极准直器，所述准直器具有蜂巢结构，所述蜂巢结界定延伸穿过所述准直器的多个孔，并且所述准直器经构造以耦接至电源，

其中所述准直器具有中心区，所述中心区在第一周边区和第二周边区之间，

其中所述第一周边区和所述第二周边区各自包含所述准直器的最外边缘，

其中在所述中心区的所述孔具有的深宽比大于在所述第二周边区的所述孔具有的深宽比，

其中所述第一周边区的所述孔具有与所述中心区的所述孔相同的高度，和

其中所述第一周边区、所述第二周边区和所述中心区共享顶表面，所述顶表面平行于所述第一周边区和所述中心区的第一底表面。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述电源是DC电源。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述电源是双极脉冲式DC电源。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述电源是极性电源。

5.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

腔室主体和设置在所述腔室主体上的腔室盖，从而界定处理区于内；和

靶材，所述靶材设置在所述腔室盖下方，其中所述准直器设置在所述靶材下方。

6.如权利要求5所述的设备，其中所述靶材由Al、Ti、Ta、W、Cr、Ni、Cu、Co、或Al、Ti、Ta、W、Cr、Ni、Cu、Co的合金的至少一种制成。

7.如权利要求5所述的设备，其中所述靶材由铜制成。

8.如权利要求5所述的设备，进一步包括：

第一磁体，所述第一磁体设置成围绕所述腔室主体并且在所述准直器上方。

9.如权利要求8所述的设备，进一步包括：

第二磁体，所述第二磁体设置成围绕所述腔室主体并且在所述准直器下方。

10.如权利要求9所述的设备，进一步包括：

磁电管组件，所述磁电管组件设置在所述腔室盖上方。

11.如权利要求5所述的设备，进一步包括：

RF偏压功率，所述RF偏压功率耦接至基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理区中。

12.一种处理套件，所述处理套件包括：

双极准直器，所述准直器具有蜂巢结构，所述蜂巢结界定延伸穿过所述准直器的由壁形成的多个孔；和

屏蔽部，所述屏蔽部围绕所述多个孔而设置，

其中所述准直器具有中心区，所述中心区在第一周边区和第二周边区之间，

其中所述第一周边区和所述第二周边区各自包含所述准直器的最外边缘，

其中所述孔的深宽比横越所述准直器的宽度而改变，

其中邻接所述屏蔽部的孔的所述壁具有倒角，

其中所述第一周边区的所述孔具有与所述中心区的所述孔相同的高度，和

其中所述第一周边区、所述第二周边区和所述中心区共享顶表面，所述顶表面平行于所述第一周边区和所述中心区的第一底表面。

13.如权利要求12所述的处理套件，进一步包括：

与所述准直器耦接的DC电源。

14.如权利要求12所述的处理套件，进一步包括：

用于和所述准直器耦接的极性电源。