[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，

向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。

2.一种蚀刻方法，其特征在于，

针对具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体反复进行多次蚀刻时间下的蚀刻处理和多次处理空间的吹扫，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻，在该蚀刻时间下的蚀刻处理中，向该被处理体供给蚀刻气体，使所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者被蚀刻，另一者实质上未被蚀刻。

3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻处理的1次时间是1sec～10sec，所述吹扫的1次时间是5sec～30sec。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻之际的温度是100℃以上。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻之际的温度是100℃～125℃。

6.一种蚀刻方法，其特征在于，

在低温范围内向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻之际的温度是60℃以下。

8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻之际的温度是0～60℃。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻气体是含有含氟气体的气体。

10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含氟气体是从由ClF₃气体、F₂气体、IF₇气体构成的组选择的至少一种。

11.根据权利要求9或10所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述第1SiGe系材料是由Ge浓度相对较高的SiGe膜构成的第1膜，所述第2SiGe系材料是由Ge浓度相对较低的SiGe膜或Si膜构成的第2膜，使用含氟气体作为蚀刻气体，而相对于所述第2膜选择性地蚀刻所述第1膜。

12.根据权利要求9或10所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述第1SiGe系材料是由Ge浓度相对较高的SiGe膜构成的第1膜，所述第2SiGe系材料是由Ge浓度相对较低的SiGe膜或Si膜构成的第2膜，使用含氟气体和NH₃气体作为蚀刻气体，而相对于所述第1膜选择性地蚀刻所述第2膜。

13.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述被处理体是在基板上层叠1次以上所述第1膜和所述第2膜而构成的。

14.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述被处理体在基板上形成有：构造部，其具有作为蚀刻对象的所述第1膜；非蚀刻对象SiGe膜，其设置到所述构造部的外侧，具有与所述第1膜的Ge浓度相等的Ge浓度；以及所述第2膜，其在所述构造部与所述非蚀刻对象SiGe膜之间设置为所述非蚀刻对象膜的保护层。