[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。

技术领域

本公开涉及一种对SiGe系材料进行蚀刻的蚀刻方法。

背景技术

近年来，作为除了硅(以下记作Si)以外的新的半导体材料，公知有硅锗(记作SiGe)，作为使用了该SiGe的半导体元件，寻求如下半导体元件：在层叠了Si层和SiGe层之后，相对于Si层选择性地蚀刻SiGe层而成的半导体元件、相对于SiGe层选择性地蚀刻Si层而成的半导体元件。

作为相对于Si选择性地蚀刻SiGe的技术，公知有使用ClF₃、XeF₂作为蚀刻气体的技术(专利文献1)、和使用HF作为蚀刻气体的技术(专利文献2)、使用NF₃气体和O₂气体等的混合气体的等离子体的技术(专利文献3)。另外，作为相对于SiGe选择性地蚀刻Si的技术，公知有向含有SF₆、CF₄的蚀刻气体添加含有锗的气体而进行蚀刻的技术(专利文献4)。

另外，在专利文献5中记载有如下内容：通过使F₂气体和NH₃气体的比率变化，能够进行SiGe相对于Si的选择性的蚀刻和Si相对于SiGe的选择性的蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-510750号公报

专利文献2：日本特开2003-77888号公报

专利文献3：日本特许第6138653号公报

专利文献4：日本特开2013-225604号公报

专利文献5：日本特开2016-143781号公报

发明内容

发明要解决的问题

不过，在上述技术中，均仅是相对于Si选择性地蚀刻SiGe，或相对于SiGe选择蚀刻Si，最近，正在寻求以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻，凭上述技术无法充分地应对这样的蚀刻。

因而，本公开提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。

用于解决问题的方案

在本公开的一形态的蚀刻方法中，向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。

在本公开的另一形态的蚀刻方法中，针对具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体反复进行多次蚀刻时间下的蚀刻处理和多次处理空间的吹扫，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻，在该蚀刻时间下的蚀刻处理中，向该被处理体供给蚀刻气体，使所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者被蚀刻，另一者实质上未被蚀刻。