[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

漂移区，由第一导电类型掺杂层的选定区域组成，所述第一导电类型掺杂层形成于半导体衬底上；

栅极结构，包括依次形成于所述第一导电类型掺杂层表面的栅介质层和栅导电材料层，所述栅极结构具有由光刻工艺定义的第一侧面和第二侧面；

第二导电类型掺杂的自对准沟道区，形成于所述栅极结构的第一侧面内侧的底部的所述第一导电类型掺杂层的表面，所述自对准沟道区由以所述栅极结构的第一侧面为自对准条件的带角度离子注入形成的掺杂区组成，被所述栅极结构覆盖的所述自对准沟道区的表面用于形成沟道，所述沟道的长度由所述带角度离子注入自对准定义从而不受光刻工艺影响；

LDMOS器件还包括第二导电类型阱，所述第二导电类型阱形成于通过光刻定义的所述第一导电类型掺杂层中，所述第二导电类型阱的第二侧面和对应的所述漂移区的第一侧面接触；

所述第二导电类型阱的顶部表面低于所述漂移区的顶部表面；

所述自对准沟道区的底部表面延伸到所述第二导电类型阱中；

在所述第二导电类型阱的表面区域中还形成有反穿通离子注入区；

所述LDMOS器件还包括第一导电类型的源侧轻掺杂区，所述源侧轻掺杂区形成于所述第二导电类型阱的顶部区域且和所述栅极结构的第一侧面自对准，所述源侧轻掺杂区的底部表面延伸到所述第二导电类型阱中，所述源侧轻掺杂区的第二侧面和所述自对准沟道区的第一侧面相接触；

在所述漂移区中形成有漂移区场氧，所述栅极结构的第二侧面延伸到所述漂移区场氧表面上；

在所述栅极结构的第一侧面和第二侧面上形成有侧墙；

所述LDMOS器件还包括第一导电类型重掺杂的源区和漏区；

所述源区形成于所述第二导电类型阱的顶部区域且和所述栅极结构的第一侧面的侧墙自对准，所述源区的底部表面延伸到所述第二导电类型阱中，所述源区的第二侧面和所述源侧轻掺杂区的第一侧面相接触；所述源区的结深比所述自对准沟道区的结深深；

所述漏区形成于所述漂移区场氧的第二侧外的所述漂移区中。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述源区的第一侧面外的所述第二导电类型阱的顶部区域形成有第二导电类型重掺杂的沟道引出区。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述自对准沟道区的带角度离子注入为袋形离子注入。

4.如权利要求1至3中任一权项所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底，所述栅导电材料层为多晶硅栅；

所述第一导电类型掺杂层由形成于所述半导体衬底表面的全面离子注入层组成；或者，所述第一导电类型掺杂层由形成于所述半导体衬底表面上的第一导电类型外延层组成。