[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，其中阵列基板包括基板、薄膜晶体管器件、色阻层、钝化层及像素电极层。薄膜晶体管器件设置在所述基板上。色阻层覆盖在所述薄膜晶体管器件上，所述色阻层设有凹槽。钝化层覆盖在所述色阻层上，并沿着所述凹槽的表面覆盖。像素电极层设置在所述钝化层上。所述钝化层开设有第一过孔和第二过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件电性连接，所述第二过孔曝露所述色阻层，其中所述至少一第二过孔位于所述凹槽上。借此，实现钝化层上的过孔，保证色阻层中的水汽从过孔排出。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着社会进步与人们需求的提升，显示器也向着大尺寸、高分辨率(HighDefinition)的方向发展。为满足高分辨率和大尺寸的需求，在薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)阵列基板涂布色阻(COA，color filter on array)的工艺技术已被广泛应用。COA工艺一方面可以实现面板开口率(aperture ratio)的提升。另一方面，色阻材料由于其吸水特性，尤其是采用金属氧化物有源层，如氧化铟镓锌(IGZO，Indium GalliumZinc Oxide)等，能够阻隔外界水汽对TFT器件性能有显着的提升效果。

然而，在COA工艺研发中，由于Q-time(等待时间)以及色阻制程后清洗等制程引入的水分会导致色阻材料中水汽达到饱和状态，从而使导致器件电性劣化。虽然色阻中水汽可以通过后续烘烤制程加以去除，但是由于COA工艺在色阻上还会制备钝化层，以防止后续干刻工艺对色阻表面的损害。因此钝化层阻碍了色阻中的水汽排出，导致TFT器件性能严重劣化。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，来解决现有技术所存在的问题。

本发明的目的，在于提供一种阵列基板及其制作方法，通过控制光阻厚度或蚀刻工艺参数调整实现钝化层上的过孔，保证色阻层中的水汽可在后续烘烤制程中从过孔排出，有效减少显示器件性能劣化的问题。

为达成本发明的前述目的，本发明提供一种阵列基板，包括基底、薄膜晶体管器件、色阻层、钝化层及像素电极层。薄膜晶体管器件设置在所述基底上。色阻层覆盖在所述薄膜晶体管器件上，所述色阻层设有凹槽。钝化层覆盖在所述色阻层上，并沿着所述凹槽的表面覆盖。像素电极层设置在所述钝化层上，其中，所述钝化层开设有第一过孔和至少一第二过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件的金属电极电性连接，所述至少一第二过孔曝露所述色阻层，其中所述至少一第二过孔位于所述凹槽上。

在本发明的一实施例中，所述凹槽包括第一孔径和第二孔径，所述第一孔径小于所述第二孔径。

在本发明的一实施例中，所述第二过孔数量为1或多个。

在本发明的一实施例中，还包括设置在所述薄膜晶体管器件和所述色阻层之间的平坦层。

再者，本发明另提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

S10、提供基底；

S20、在所述基底上制备薄膜晶体管器件；

S30、在所述薄膜晶体管器件上涂布色阻层，所述色阻层邻近所述薄膜晶体管器件形成凹槽；及

S40、在所述色阻层上沉积钝化层，并沿着所述凹槽的表面沉积，在所述钝化层上涂布光阻并经曝光显影后刻蚀，以在所述钝化层形成第一过孔和至少一第二过孔；及

S50、在所述钝化层上沉积并图形化像素电极层；

其中所述像素电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件的金属电极电性连接，所述至少一第二过孔曝露所述色阻层。