[发明专利]一种闪存编程电流产生电路及其方法

权利要求书

1.一种闪存编程电流产生电路，包括：

编程信号产生电路，用于在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do；

恒流源模块，用于在所述编程输出信号Do的控制下通过关闭上拉的PMOS管以减小功耗并获得稳定的编程电流Idp；

闪存单元，为选中存储单元，用于存储信息；其中，所述编程信号产生电路包括一反相器INV1和一或非门NOR1，所述编程许可信号PROGEN连接至所述反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端连接至所述或非门NOR1的一输入端，所述编程数据输入DIN连接至所述或非门NOR1的另一输入端，所述或非门NOR1的输出端即编程输出信号Do连接至所述恒流源模块，所述恒流源模块包括电平位移器LS1、PMOS管MP1、NMOS管MN1和恒流源Ipd；

所述或非门NOR1的输出端即编程输出信号Do连接至所述NMOS管MN1的栅极和电平位移器LS1的输入端，所述电平位移器LS1的互补输出端OUT_N连接至所述PMOS管MP1的栅极，所述PMOS管MP1的源极和衬底接电源电压,所述PMOS管MP1的漏极连接所述NMOS管MN1的漏极和闪存单元，所述NMOS管MN1的源极和衬底通过所述恒流源Ipd接地。

2.如权利要求1所述的一种闪存编程电流产生电路，其特征在于：所述闪存单元的位线BL接所述PMOS管MP1的漏极以及所述NMOS管MN1漏极，所述闪存单元的字线WL接1.5V电压。

3.如权利要求2所述的一种闪存编程电流产生电路，其特征在于：编程时，编程许可信号PROGEN为高，当所述编程数据输入DIN为低时，所述编程输出信号Do为高，NMOS管MN1导通，选中要编程的闪存单元通过下拉电流Ipd把位线BL电压拉到0，编程电流Idp＝Ipd，同时通过所述电平位移器将所述PMOS管MP1关闭以把抑制电压的开关关掉。

4.如权利要求3所述的一种闪存编程电流产生电路，其特征在于：当所述编程数据输入DIN为高时，所述编程输出信号Do为低，NMOS管MN1截止，选中要编程的闪存单元保持擦除。

5.一种闪存编程电流产生方法，包括如下步骤：

步骤S1，利用编程信号产生电路在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do；

步骤S2，恒流源模块在所述编程输出信号Do的控制下通过关闭上拉的PMOS管以减小功耗并获得稳定的编程电流Idp至闪存单元；

其中，所述编程信号产生电路包括一反相器INV1和一或非门NOR1，所述编程许可信号PROGEN连接至所述反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端连接至所述或非门NOR1的一输入端，所述编程数据输入DIN连接至所述或非门NOR1的另一输入端，所述或非门NOR1的输出端即编程输出信号Do连接至所述恒流源模块，所述恒流源模块包括电平位移器LS1、PMOS管MP1、NMOS管MN1和恒流源Ipd；

所述或非门NOR1的输出端即编程输出信号Do连接至所述NMOS管MN1的栅极和电平位移器LS1的输入端，所述电平位移器LS1的互补输出端OUT_N连接至所述PMOS管MP1的栅极，所述PMOS管MP1的源极和衬底接电源电压,所述PMOS管MP1的漏极连接所述NMOS管MN1的漏极和闪存单元，所述NMOS管MN1的源极和衬底通过所述恒流源Ipd接地。

6.如权利要求5所述的一种闪存编程电流产生方法，其特征在于：编程时，所述编程许可信号PROGEN为高，当所述编程数据输入DIN为低时，所述编程输出信号Do为高，NMOS管MN1导通，选中要编程的闪存单元通过下拉电流Ipd把位线BL电压拉到0，编程电流Idp＝Ipd，同时通过所述电平位移器将所述PMOS管MP1关闭以把抑制电压的开关关掉；当所述编程数据输入DIN为高时，所述编程输出信号Do为低，NMOS管MN1截止，选中要编程的闪存单元保持擦除。