[发明专利]一种闪存编程电流产生电路及其方法

说明书

本发明公开了一种闪存编程电流产生电路及其方法，所述电路包括：编程信号产生电路，用于在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do；恒流源模块，用于在所述编程输出信号Do的控制下通过关闭上拉的PMOS管以减小功耗并获得稳定的编程电流Idp；闪存单元，为选中存储单元，用于存储信息，通过本发明，在减少功耗的基础上获得准确的闪存编程电流。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种闪存编程电流产生电路及其方法。

背景技术

基于超级闪存(Super Flashcell)的闪存内核(flash IP)，编程(program)操作需要设置选择电压SL＝8.0V、字线电压WL＝1.5V、位线电压BL＝Vdp电压之外，还需要位线电流Idp＝2.5uA的直流(dc)电流。

如图1所示为目前编程操作的位线电流Idp(Idp＝Ipd-Ipu)的产生电路结构图，该电路包括编程信号产生电路10、恒流源模块20和闪存单元30，编程信号产生电路10由反相器INV1和或非门NOR1组成，以在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do；恒流源模块20由NMOS管MN1和恒流源Ipu、Ipd组成，用于在编程输出信号Do的控制下打开NMOS管MN1将两个恒流源相减获得编程电流Idp；闪存单元30为选中存储单元Cell，用于存储信息。

然而，现有的这种闪存编程电流产生电路功耗较大，而且编程电流Idp是两个恒流源Ipu、Ipd的差，在应用于有极端功耗要求的闪存内核(IP)时，当考虑把编程电流Idp降低到100nA级别的时候，这种通过下拉电流减去上拉电流的方法很难做准。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种闪存编程电流产生电路及其方法，以在减少功耗的基础上获得准确的闪存编程电流。

为达上述目的，本发明提出一种闪存编程电流产生电路，包括：

编程信号产生电路，用于在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do；

恒流源模块，用于在所述编程输出信号Do的控制下通过关闭上拉的PMOS管以减小功耗并获得稳定的编程电流Idp；

闪存单元，为选中存储单元，用于存储信息。

优选地，所述编程信号产生电路包括一反相器INV1和一或非门NOR1。

优选地，所述编程许可信号PROGEN连接至所述反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端连接至所述或非门NOR1的一输入端，所述编程数据输入DIN连接至所述或非门NOR1的另一输入端，所述或非门NOR1的输出端即编程输出信号Do连接至所述恒流源模块。

优选地，所述恒流源模块包括电平位移器LS1、PMOS管MP1、NMOS管MN1和恒流源Ipd。

优选地，所述或非门NOR1的输出端即编程输出信号Do连接至所述NMOS管MN1的栅极和电平位移器LS1的输入端，所述电平位移器LS1的互补输出端OUT_N连接至所述PMOS管MP1的栅极，所述PMOS管MP1的源极和衬底接电源电压,所述PMOS管MP1的漏极连接所述NMOS管MN1的漏极和闪存单元，所述NMOS管MN1的源极和衬底通过所述电流源Ipd接地。

优选地，所述闪存单元的位线BL接所述PMOS管MP1的漏极以及所述NMOS管MN1漏极，所述闪存单元的字线WL接1.5V电压。

优选地，编程时，编程许可信号PROGEN为高，当所述编程数据输入DIN为低时，所述编程输出信号Do为高，NMOS管MN1导通，选中要编程的闪存单元通过下拉电流Ipd把位线BL电压拉到0，编程电流Idp＝Ipd，同时通过所述电平位移器将所述PMOS管MP1关闭以把inhibit电压的开关关掉。