[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910056891.5 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109659271A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 刻蚀 浅沟槽 衬底 晶圆 底部防反射涂层 多晶硅层 氧化物层 聚合物 掩模层 清洗 制作 隔离物质 挥发污染 浅槽隔离 去除 填充 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；
依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层和所述衬底；
在所述衬底上形成浅沟槽；
清洗所述浅沟槽；
向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上沉积所述多晶硅层之前，所述浅沟槽隔离结构的制作方法还包括在所述衬底上沉积一氧化物层。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述清洗浅沟槽隔离使用的气体为：氧气或氢气和氮气的组合。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，清洗所述浅沟槽使用的气体源的功率为800W。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，清洗所述浅沟槽的时间为20秒。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述底部防反射涂层的材料为有机物。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述掩模层的材料为氮化硅。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所采用的刻蚀均为干法刻蚀。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，填充的隔离物为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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