[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法

说明书

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氧化物层、多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层、所述氧化物层和所述衬底；在所述衬底上形成浅沟槽；清洗所述浅沟槽；向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，在刻蚀完浅槽隔离之后清洗浅沟槽去除聚合物，防止聚合物挥发污染其它没有进行刻蚀的晶圆，并且还能防止在后续的步骤中产生影响晶圆刻蚀的颗粒，最终，提升晶圆刻蚀的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离结构的制作方法。

背景技术

在集成电路加工制造过程中，晶圆(wafer)的加工工艺的质量对电路的工作性能具有决定性的影响。其中，制作浅沟槽隔离(ST I)是整个集成电路加工的前端基础工艺。

晶圆刻蚀浅沟槽时，共有25片晶圆放在晶舟上面，一开始晶舟是放置在非刻蚀的腔体内(VCE)，然后从第一片开始一片一片的传到刻蚀腔体内进行刻蚀，刻蚀的时候使用到的气体主要是HBr或者C l ₂或者CF₄,这些气体容易和反应的薄膜形成聚合物粘附在晶圆上面，当晶圆刻蚀完后传回到非刻蚀的腔体内后，表面粘附的聚合物就会挥发，然后和非刻蚀的腔体内的表面铝材质发生反应，形成一些颗粒剥落下来落到最上面一层的晶圆上，导致此晶圆进行刻蚀的时候，刻蚀的量受到很大的影响导致刻蚀的质量不达标，更有可能出现无法刻蚀的情况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，避免晶圆上产生颗粒，从而提升刻蚀形成的浅沟槽隔离结构的质量。

为了达到上述目的，本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次形成多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；

依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层和所述衬底；

在所述衬底上形成浅沟槽；

清洗所述浅沟槽；

向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，在所述衬底上沉积所述多晶硅层之前，所述浅沟槽隔离结构的制作方法还包括在所述衬底上沉积一氧化物层。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，所述清洗浅沟槽隔离使用的气体为：氧气或氢气和氮气的组合。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，清洗所述浅沟槽使用的气体源的功率为800W。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，清洗所述浅沟槽的时间为20秒。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，所述衬底为硅衬底。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，所述底部防反射涂层的材料为有机物。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，所述掩模层的材料为氮化硅。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，所采用的刻蚀均为干法刻蚀。

可选的，在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中，填充的隔离物为二氧化硅。