[发明专利]一种射频开关及控制与驱动电路有效
申请号: | 201910056894.9 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109802664B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 戴若凡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K19/0175 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 开关 控制 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种射频开关及控制与驱动电路,包括:逻辑译码模块,用于将开关选择信号译码为m位译码输出;m个通路控制与驱动模块,分别连接一位译码输出,以将输入的1位译码输出转换为射频串并联通路的栅极和体区控制及驱动电压;m个射频串并联通路,用于在对应的栅极和体区控制及驱动电压的控制下将射频信号在天线ANT与射频端RFj间传输,本发明可优化逻辑控制,改善布局布线,改善数字干扰及噪声对射频性能影响,同时减少电平位移器占用面积,降低成本。
技术领域
本发明涉及射频开关技术领域,特别是涉及一种射频开关及控制与驱动电路。
背景技术
射频开关设计的数字逻辑控制及电平驱动易对射频部分产生数字干扰及噪声影响,同时占用一定芯片面积,因此一般需要优化设计。
如图1所示,现有射频开关(SPmT,单刀m掷)包括逻辑译码模块10、多个通路控制及驱动模块20和多个射频串并联通路30组成。其中,逻辑译码模块10,用于将开关选择信号译码为4m位译码输出;通路控制及驱动模块20由4个电平位移器(Levelshift)组成,用于将输入的4位译码输出转换为串联开关支路和并联开关支路的栅极和体区控制及驱动电压,共m个;射频串并联通路30由串联和并联的开关支路组成,用于在栅极和体区控制及驱动电压的控制下将射频信号在天线ANT与RFj间传输,j=1,2,……,m。
具体地,射频串并联通路30中的开关支路如图2所示,开关支路包括栅极电压公共控制模块31、开关模块32、体区电压公共控制模块33。其中,栅极电压控制模块31由电阻Rgc组成,用于将控制开关模块32导通或关断的栅极电压VG传输至开关模块32;开关模块32由多个级联的射频开关单元32i组成,用于在栅极电压VG的控制下将射频信号RFin连接或不连接至RFout,具体来说,每个射频开关单元32i由栅极偏置电路、开关电路和体区驱动电路组成,i=1,2,……,n,栅极偏置电路由栅极偏置电阻Rgi组成,用于将栅极电压VG传输至开关管Mi的栅极,开关电路由NMOS开关管Mi以及通路电阻Rdsi组成,用于传输或关断射频链路,体区驱动电路由体区偏置电阻Rbi组成,用于将体区电压VB传输至开关管Mi的体区;体区电压公共控制模块33由电阻Rbc组成,用于将控制开关模块32导通或关断的体区电压VB传输至开关模块32。
栅极电压VG经电阻Rgc连接至栅极偏置电阻Rgi的公共端,栅极偏置电阻Rgi的另一端连接至开关管Mi的栅极;体区电压VB经电阻Rbc连接至体区偏置电阻Rbi的公共端,体区偏置电阻Rbi的另一端连接至开关管Mi的体区;射频输入信号RFin连接至开关管M1的漏极,开关管Mi依次级联,即开关管Mi的源极连接至开关管M(i+1)的漏极,i=1,2,……,n-1,开关管Mn的源极即为射频输出信号RFout,通路电阻Rdsi并联在开关管Mi的漏极和源极间。
由于,现有技术中串并联开关支路需要4位逻辑控制,4个电平位移器(levelshift)驱动,SPmT需要4m位逻辑输出控制,4m个电平位移器(levelshift)驱动,逻辑控制复杂,数字干扰及噪声影响相对较大,同时电平位移器(levelshift)数量较多占用较大数字面积。
发明内容
为克服上述现有技术存在的不足,本发明之目的在于提供一种射频开关及控制与驱动电路,以优化逻辑控制,改善其布局布线,改善数字干扰及噪声对射频性能影响,同时减少电平位移器占用面积,降低成本。
为达上述及其它目的,本发明提出一种射频开关及控制与驱动电路,包括:
逻辑译码模块,用于将开关选择信号译码为m位译码输出;
m个通路控制与驱动模块,分别连接一位译码输出,以将输入的1位译码输出转换为射频串并联通路的栅极和体区控制及驱动电压;
m个射频串并联通路,用于在对应的栅极和体区控制及驱动电压的控制下将射频信号在天线ANT与射频端RFj间传输。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910056894.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。