[发明专利]电保护电路布置有效

专利信息
申请号: 201910057425.9 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN110071487B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: K·阿斯坎;M·鲍尔图内克 申请(专利权)人: 伊顿智能动力有限公司
主分类号: H02H7/26 分类号: H02H7/26;H02H3/08;H02H9/02;H01H9/54
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 保护 电路 布置
【权利要求书】:

1.一种电保护电路布置(50),其包括第一外部导体路径(2)和第二外部导体路径(51),所述第一外部导体路径(2)依据电路技术与所述第二外部导体路径(51)并联布置,第二半导体电路布置(14)布置于所述第一外部导体路径(2)中,第一电流测量布置(12)布置于所述第一外部导体路径(2)中且连接到第一电子控制单元(13),所述第一电子控制单元(13)适于驱动所述第二半导体电路布置(14),第四半导体电路布置(54)布置于所述第二外部导体路径(51)中,第二电流测量布置(55)布置于所述第二外部导体路径(51)中且连接到第二电子控制单元(56),所述第二电子控制单元(56)适于驱动所述第四半导体电路布置(54),

其中所述第一电子控制单元(13)和所述第二电子控制单元(56)依据通信技术连接,且

所述第一电子控制单元(13)控制所述第二半导体电路布置(14),且所述第二电子控制单元(56)控制所述第四半导体电路布置(54),用于调适跨越所述第一外部导体路径(2)的第一电流和跨越所述第二外部导体路径(51)的第二电流,

和/或

所述第一电子控制单元(13)和所述第二电子控制单元(56)在低于能够预设限制值的第一电流和/或第二电流下切断所述第二外部导体路径(51);

所述第一外部导体路径(2)、所述第二半导体电路布置(14)、所述第一电流测量布置(12)和所述第一电子控制单元(13)布置于包括第一绝缘材料壳体的第一低电压保护开关装置(1)中,所述第一低电压保护开关装置(1)包括依据通信技术连接到所述第一电子控制单元(13)的第一通信接口(57),

所述第二外部导体路径(51)、所述第四半导体电路布置(54)、所述第二电流测量布置(55)和所述第二电子控制单元(56)布置于包括第二绝缘材料壳体的第二低电压保护开关装置(62)中,所述第二低电压保护开关装置(62)具有依据通信技术连接到所述第二电子控制单元(56)的第二通信接口,

且所述第一通信接口(57)依据通信技术连接到所述第二通信接口。

2.根据权利要求1所述的电保护电路布置(50),其特征在于第一机械旁路开关(8)布置于所述第一外部导体路径(2)中,第一半导体电路布置(11)与所述第一机械旁路开关(8)并联连接,所述第二半导体电路布置(14)依据电路技术与所述第一机械旁路开关(8)串联且与所述第一半导体电路布置(11)并联布置,所述第一电子控制单元(13)适于此目的,以进一步驱动所述第一机械旁路开关(8)和所述第一半导体电路布置(11),第二机械旁路开关(52)布置于所述第二外部导体路径(51)中,第三半导体电路布置(53)与所述第二机械旁路开关(52)并联连接,所述第四半导体电路布置(54)依据电路技术与所述第二机械旁路开关(52)串联且与所述第三半导体电路布置(53)并联布置,且所述第二电子控制单元(56)适于进一步驱动所述第二机械旁路开关(52)和所述第三半导体电路装置(53)。

3.根据权利要求1所述的电保护电路布置(50),其特征在于所述第二半导体电路布置(14)和所述第四半导体电路布置(54)各自适于包括半导体。

4.根据权利要求3所述的电保护电路布置(50),其特征在于所述第二半导体电路布置(14)和所述第四半导体电路布置(54)各自包括MOSFET(15)。

5.根据权利要求1所述的电保护电路布置(50),其特征在于所述第二半导体电路布置(14)和所述第四半导体电路布置(54)双向设计。

6.根据权利要求5所述的电保护电路布置(50),其特征在于所述第二半导体电路布置(14)和所述第四半导体电路布置(54)为双向4象限开关。

7.根据权利要求3所述的电保护电路布置(50),其特征在于所述第一电子控制单元(13)控制所述第二半导体电路布置(14)的栅极电压,且所述第二电子控制单元(56)控制所述第四半导体电路布置(54)的栅极电压。

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