[发明专利]电保护电路布置有效
申请号: | 201910057425.9 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN110071487B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | K·阿斯坎;M·鲍尔图内克 | 申请(专利权)人: | 伊顿智能动力有限公司 |
主分类号: | H02H7/26 | 分类号: | H02H7/26;H02H3/08;H02H9/02;H01H9/54 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 布置 | ||
本发明涉及一种电保护电路布置(50),包括第一外部导体路径(2)和第二外部导体路径(51),第一外部导体路径与第二外部导体路径依据电路并联布置,第一外部导体路径(2)具有拥有由第一电子控制单元(13)控制的第一和第二半导体布置(11、14)的第一混合保护电路,第二外部导体路径(51)包括具有由第二电子控制单元(56)控制的第三和第四半导体布置(53、54)的第一混合保护电路,第一控制单元调节第二半导体电路布置,且第二控制单元调节第四半导体电路布置以调整经由第一外部导体路径的第一电流和经由第二外部导体路径的第二电流,和/或第一控制单元和第二控制单元在低于可预设限制值的第一电流和/或第二电流下切断第二外部导体路径。
技术领域
本发明涉及一种电保护电路布置。
背景技术
已知通过并联连接将电流划分为若干分支,借此整个电流根据基尔霍夫第一定律划分成个别并联分支。
此外,已知例如来自申请人的WO 2015/028634 A1的所谓的混合保护开关装置。此类混合开关装置相对于常规纯机械保护开关装置具有许多优点。然而,已经显示,通过根据WO 2015/028634 A1切换并联的混合开关装置来增加电线或其紧急保护的载流容量是不可能的。安装于此类开关装置中的机械开关接触件和半导体元件的特定特性导致此类并联连接的混合开关装置的内电阻发生相当大的漂移,同时还导致此类开关装置之间的电流分布的飘移。在初始操作之后的较短时间内,这导致不均匀的电流分布。
发明内容
因此,本发明的任务是指定上文所提及类型的电保护电路布置,可利用其来避免上文所提及的缺点,可利用其安全地且永久地增加电保护电路布置的载流容量。
根据本发明,提供了一种电保护电路布置,其包括第一外部导体路径和第二外部导体路径,所述第一外部导体路径依据电路技术与所述第二外部导体路径并联布置,第二半导体电路布置布置于所述第一外部导体路径中,第一电流测量布置布置于所述第一外部导体路径中且连接到第一电子控制单元,所述第一电子控制单元适于驱动所述第二半导体电路布置,第四半导体电路布置布置于所述第二外部导体路径中,第二电流测量布置布置于所述第二外部导体路径中且连接到第二电子控制单元,所述第二电子控制单元适于驱动所述第四半导体电路布置,其中所述第一电子控制单元和所述第二电子控制单元依据通信技术连接,且所述第一电子控制单元控制所述第二半导体电路布置,且所述第二电子控制单元控制所述第四半导体电路布置,用于调适跨越所述第一外部导体路径的第一电流和跨越所述第二外部导体路径的第二电流,和/或所述第一电子控制单元和所述第二电子控制单元在低于能够预设限制值的第一电流和/或第二电流下切断所述第二外部导体路径;所述第一外部导体路径、所述第二半导体电路布置、所述第一电流测量布置和所述第一电子控制单元布置于包括第一绝缘材料壳体的第一低电压保护开关装置中,所述第一低电压保护开关装置包括依据通信技术连接到所述第一电子控制单元的第一通信接口,所述第二外部导体路径、所述第四半导体电路布置、所述第二电流测量布置和所述第二电子控制单元布置于包括第二绝缘材料壳体的第二低电压保护开关装置中,所述第二低电压保护开关装置具有依据通信技术连接到所述第二电子控制单元的第二通信接口,且所述第一通信接口依据通信技术连接到所述第二通信接口。
优选的,第一机械旁路开关布置于所述第一外部导体路径中,第一半导体电路布置与所述第一机械旁路开关并联连接,所述第二半导体电路布置依据电路技术与所述第一机械旁路开关串联且与所述第一半导体电路布置并联布置,所述第一电子控制单元适于此目的,以进一步驱动所述第一机械旁路开关和所述第一半导体电路布置,第二机械旁路开关布置于所述第二外部导体路径中,第三半导体电路布置与所述第二机械旁路开关并联连接,所述第四半导体电路布置依据电路技术与所述第二机械旁路开关串联且与所述第三半导体电路布置并联布置,且所述第二电子控制单元适于进一步驱动所述第二机械旁路开关和所述第三半导体电路装置。
优选的,所述第二半导体电路布置和所述第四半导体电路布置各自适于包括半导体。
优选的,所述第二半导体电路布置和所述第四半导体电路布置各自包括MOSFET。
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