[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

基板；

第1导电型区域，形成在所述基板上且形成有由绝缘膜包围的电阻元件；

第2导电型区域，与所述电阻元件的上表面接触并层叠形成；

电容器，经由层间绝缘层而形成在所述电阻元件上；

过孔，将所述电阻元件的一端子及所述电容器的一端子电性串联连接；以及

电源线及接地线，与所述电阻元件的另一端子及所述电容器的另一端子分别电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电阻元件是从所述一端子至所述另一端子为止连续的微带，且以曲折形式配置在所述基板与所述第2导电型区域之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述电容器是包含隔着形成在所述层间绝缘层上的间隙部而相互相向的一对梳形电极的交指电容器。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于还包括：

至少一个反相器电路，输入侧与所述过孔连接，且在所述电源线及所述接地线之间与所述电源线及所述接地线分别连接；以及

保护电路，与所述反相器电路的输出侧连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于还包括：

以与所述电阻元件及所述第2导电型区域两者的侧面接触并包围两者的方式配置的环状的绝缘体沟槽。