[发明专利]形成对准标记的方法

权利要求书

1.一种形成对准标记的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成第一金属层，刻蚀所述第一金属层形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括第一对准区和第二对准区，所述第一对准区包括多个第一金属连接柱，所述第二对准区包括至少一个第二金属连接柱；

在所述图案化的第一金属层上形成第一氧化物层，刻蚀所述第一氧化物层形成图案化的氧化物层，所述图案化的氧化物层包括去除第一对准区内所述第一金属连接柱间隔的第一氧化物层，在所述第一金属连接柱上的第一氧化物连接柱，以及覆盖第二对准区第一氧化物层，刻蚀覆盖第二对准区的第一氧化物层暴露出第二金属连接柱，形成多个第一通孔；

在所述图案化的氧化物层上形成第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括去除第一氧化物连接柱间隔的第二金属层，在第一氧化物连接柱上形成的第三金属连接柱，以及去除覆盖第二对准区第一氧化物层之上的部分第二金属层，保留与第二对准区的第二金属连接柱对应位置的第四金属连接柱，所述第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的所述第三金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；

在所述图案化的第二金属层、第三金属连接柱和第四金属连接柱上形成第二氧化物层，在与第三金属连接柱间隔区对应位置的第二氧化物层上形成凹槽作为器件对准标记；

刻蚀所述第二氧化物层以暴露出所述第四金属连接柱，形成第二通孔，以作为器件互连的通孔。

2.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述衬底为CMOS器件，所述CMOS器件内含有接触孔，所述第一金属连接柱位于所述接触孔上。

3.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述第一对准区的图案化的氧化物层的厚度小于所述第一金属连接柱的高度。

4.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述第一金属连接柱、所述第一氧化物连接柱和所述第三金属连接柱的形状和宽度均相同。

5.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述第二对准区的图案化的氧化物层的高度与所述第一金属连接柱和所述第一氧化物连接柱的高度之和相同。

6.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，在形成多个第一通孔后，所述形成对准标记的方法还包括向所述第一通孔内填充金属。

7.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述对准标记向下对应相邻的两个所述第三金属连接柱的中间位置。

8.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述刻蚀方法都为干法刻蚀。

9.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括铝。

10.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其特征在于，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层的材料包括氧化硅。