[发明专利]形成对准标记的方法

说明书

本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。相对于现有技术，本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种形成对准标记的方法。

背景技术

CMOS是组成数字电路的一部分，微机电系统(MEMS)是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术，它的操作范围在微米范围内，现如今，利用FeNi的各向异性磁阻(AMR)效应制造的微机电系统(AMR MEMS)有灵敏度高，热稳定性好，材料成本低，制备工艺简单，已经得到了广泛的应用，现如今可能MEMS和CMOS会结合，因此涉及到MEMS和CMOS的互连，而互连就需要有对准标记作为辅助。

现有技术中，有两种方法形成MEMS和CMOS互连的对准标记，第一种方法是，CMOS自身分为多层，每一层都有对准标记，如果在CMOS的平面上形成MEMS器件，且MEMS器件需要和CMOS对准，就需要额外新增一层通孔和一层金属与自身的对准标记相连，并同时在新增金属层形成MEMS对准标记。第二种方法是，直接打开CMOS表面，露出CMOS原有的自身的对准标记，MEMS将以这个对准标记作为参照实现自身的器件与CMOS顶层金属的互连。

但是，现有技术的第一种方法中，需要额外新增一层通孔和一层金属，并同时形成后续层次的对准标记，第二种方法中需要新增一不刻蚀层次，打开CMOS的对准标记，而这种两种方法都需要额外的工艺形成MEMS和CMOS互连对准标记，浪费成本和时间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种形成对准标记的方法，不需要额外的工艺形成MEMS和CMOS互连对准标记，节省成本和时间。

为了达到上述目的，本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成第一金属层，刻蚀所述第一金属层形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括第一对准区和第二对准区，所述第一对准区包括多个第一金属连接柱，所述第二对准区包括至少一个第二金属连接柱；

在所述图案化的第一金属层上形成第一氧化物层，刻蚀所述第一氧化物层形成图案化的氧化物层，所述图案化的氧化层包括去除第一对准区内所述第一金属连接柱间隔的第一氧化物层，在所述第一金属连接柱上的第一氧化物连接柱，以及覆盖第二对准区第一氧化物层，刻蚀覆盖第二对准区的第一氧化物层暴露出第二金属连接柱，形成多个第一通孔；

在所述图案化的氧化物层上形成第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括去除第一氧化物连接柱间隔的第二金属层，在第一氧化物连接柱上形成的第三金属连接柱，以及去除覆盖第二对准区第一氧化物层之上的部分第二金属层，保留与第二对准区的第二金属连接柱对应位置的第四金属连接柱，所述第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的所述第三左金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；

在所述图案化的第二金属层、第三金属连接柱和第四金属连接柱上形成第二氧化物层，在与第三金属连接柱间隔区对应位置的第二氧化物层上形成凹槽作为器件对准标记；

刻蚀所述第二氧化层以暴露出所述第四金属连接柱，形成第二通孔，以作为器件互连的通孔。