[发明专利]一种抗辐射、抗静电、隔热镀膜玻璃及其制备方法有效
| 申请号： | 201910060276.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109485271B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 简明德;刘成武;杨宝华;赖东明 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 抗静电 隔热 镀膜 玻璃 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗辐射、抗静电、隔热镀膜玻璃的制备方法，包括基板，基板的表面上设有复合膜层，复合膜层由内之外依序包括内层、中间层和外层，其特征在于：所述内层为SiO2层，中间层为SiO2+ZnO层，外层为ZnO层；
所述制备方法包括以下步骤：
1）选择3-9mm厚的基板，用清洗机对基板进行清洗；
2）内层：将基板送入镀膜室，磁控溅射SiO2层，用直流电源，Ar气、O2作为保护气体，磁控溅射Si靶，Si靶电流4-8A，Ar气体流量和O2气体流量400-800sccm ：200-400sccm ，在基板上溅射形成厚度为100-150nm的SiO2层；
3）中间层：继续磁控溅射SiO2+ZnO层，用直流电源，Ar气、O2作为保护气体，磁控溅射Zn靶及Si靶，Zn靶电流4-8A，Si靶电流4-8A，Ar气体流量和O2气体流量400-800sccm ：200-400sccm ，溅射形成厚度为20-50nm的SiO2+ZnO层；
4）外层：继续磁控溅射ZnO层，用直流电源，Ar气、O2作为保护气体，磁控溅射Zn靶，Zn靶电流4-8A，Ar气体流量和O2气体流量400-800sccm ：200-400sccm ，溅射形成厚度为50-70nm的ZnO层。
2.根据权利要求1所述的一种抗辐射、抗静电、隔热镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述SiO2层的厚度为100-150nm。
3.根据权利要求1所述的一种抗辐射、抗静电、隔热镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述SiO2+ZnO层的厚度为20-50nm。
4.根据权利要求1所述的一种抗辐射、抗静电、隔热镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述ZnO层的厚度为50-70nm。
5.根据权利要求1所述的一种抗辐射、抗静电、隔热镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：所述基板的厚度为3-9mm。
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