[发明专利]集成电路封装体的制造方法有效
申请号: | 201910062098.6 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN111211079B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 郭桂冠;林子翔;王政尧 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/552 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 制造 方法 | ||
本发明的实施例涉及集成电路封装体的制造方法。根据本发明一实施例的方法包含:提供载板;在载板上形成涂层,涂层可粘结在载板上;提供经塑封的集成电路封装体,集成电路封装体的引脚底面上覆盖有胶材层;将集成电路封装体安装在载板上,其中胶材层与涂层粘结在一起;在集成电路封装体的暴露表面上形成金属屏蔽层;自胶材层上移除涂层及载板;以及自集成电路封装体的引脚底面上移除胶材层从而形成单独的具有金属屏蔽层的集成电路封装体。与现有技术相比,本发明的实施例达到了去除金属毛刺/金属碎屑的目的,提高了集成电路封装体的质量和可靠性,同时可避免残留的金属毛刺/金属碎屑给后续电子产品的组装带来短路的风险。
技术领域
本发明大体上涉及半导体领域,更具体地,涉及集成电路封装体的制造方法。
背景技术
电磁波干扰(EMI)是集成电路系统中常见的干扰,其影响着电子产品内部集成电路封装体的电气性能。目前克服EMI通常的做法是:通过在集成电路封装体的塑封外壳上溅镀金属屏蔽层来减少EMI。具体而言:将切割后的单个集成电路封装体平铺放置在带有双面胶材的载板上,载板带着该集成电路封装体经过等离子溅射腔室,经由真空溅射使得在该集成电路封装体的塑封外壳上形成一金属屏蔽层,并使金属屏蔽层与集成电路封装体的接地引脚连接,以此达到减少EMI的目的。
由于集成电路封装体与双面胶材垂直相交的侧壁上的金属屏蔽层的沉积速度远远大于其它部分,因此在将该具有金属屏蔽层的集成电路封装体从带有双面胶材的载板上剥离时会在集成电路封装体的表面形成金属毛刺/金属碎屑。这些金属毛刺/金属碎屑主要是该侧壁的位置处撕扯出来的自金属屏蔽层的部分金属,并会给后续的电子产品组装和使用带来了潜在的短路风险。虽然可以通过使用毛刷等方式对金属毛刺进行清洁,但是这种清洁效果较差,无法将金属毛刺/金属碎屑彻底清除干净。
因此,现有的集成电路封装体的制造工艺需进一步改进。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种集成电路封装体的制造方法,其对集成电路封装体的溅镀工艺进行了改进,可在封装工艺中达到去除金属毛刺/金属碎屑的目的。
根据本发明的一实施例的集成电路封装体的制造方法包含:提供载板;在载板上形成涂层,涂层可粘结在载板上;提供经塑封的集成电路封装体,集成电路封装体的引脚底面上覆盖有胶材层;将集成电路封装体安装在载板上,其中胶材层与涂层粘结在一起;在集成电路封装体的暴露表面上形成金属屏蔽层;自胶材层上移除涂层及载板;以及自集成电路封装体的引脚底面上移除胶材层从而形成单独的具有金属屏蔽层的集成电路封装体。
根据本发明的另一实施例,涂层是硅胶涂层。根据本发明的又一实施例,胶材层的平面尺寸与引脚底面的平面尺寸实质上相同。根据本发明的又一实施例,涂层经加热固化而固定在载板上。根据本发明的又一实施例,涂层与胶材层之间的粘力小于胶材层与集成电路封装体的引脚底面之间的粘力。根据本发明的又一实施例,金属屏蔽层的材料是铜、不锈钢、钛或铁。根据本发明的又一实施例,通过在真空环境下对所述集成电路封装体进行溅镀工艺形成所述金属屏蔽层。
与现有技术相比,本发明一实施例提供的集成电路封装体的制造方法,通过在集成电路封装体的表面预贴胶膜,将产品贴装到带有涂层的载板上并完成溅镀工艺,金属毛刺/金属碎屑即可随胶膜一同卸下,如此达到了去除金属毛刺/金属碎屑的目的,提高了集成电路封装体的质量和可靠性,同时可避免残留的金属毛刺/金属碎屑给后续电子产品的组装带来短路的风险。
附图说明
图1为根据本发明一实施例的具有金属层的集成电路封装体示意图
图2-6为根据本发明一实施例的如图1所示的集成电路封装体的制造方法
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造