[发明专利]一种上电复位电压稳定的上电复位电路

说明书

本发明公开了一种上电复位电压稳定的上电复位电路，包括：上电复位模块，用于为非易失性存储器芯片提供上电复位所需的上电复位电压；负反馈模块，与上电复位模块连接，用于根据温度和工艺角向上电复位模块发送负反馈信号，该负反馈信号用于控制上电复位模块输出的上电复位电压在预设范围内。本发明通过在上电复位电路中添加负反馈模块，且该负反馈模块根据温度和工艺角向上电复位电路发送负反馈信号，该负反馈信号用于控制上电复位电路输出的上电复位电压在预设范围内，这样能够有效降低温度和工艺角对上电复位电压的影响，实现较准的上电复位电压检测，产生稳定的上电复位信号，实现准确的上电复位功能，从而保证芯片稳定正常工作。

技术领域

本发明涉及电路复位技术领域，特别涉及一种上电复位电压稳定的上电复位电路。

背景技术

非易失性存储器芯片在掉电后数据不会丢失，常见的非易失性存储器有只读存储器(ROM)，电可擦除存储器(EEPROM)，NOR型快闪存储器(NOR FLASH)和NAND型快闪存储器(NAND FLASH)。

非易失性存储器芯片等其他任何芯片，为了保证芯片的正确工作以及稳定性，在芯片开始工作之前，都需要对芯片中各个电路模块进行上电复位。传统的上电复位电路的复位电压检测受温度以及工艺角的影响较大，可能在某种情形下不能达到正常的上电复位作用。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种上电复位电压稳定的上电复位电路。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种上电复位电压稳定的上电复位电路，包括：

上电复位模块，用于为非易失性存储器芯片提供上电复位所需的上电复位电压；

负反馈模块，与上电复位模块连接，用于根据温度和工艺角向上电复位模块发送负反馈信号，所述负反馈信号用于控制上电复位模块输出的上电复位电压在预设范围内。

在本发明实施例上述的上电复位电路中，所述上电复位模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、第一反相器、第二反相器、第一电阻，

第一PMOS管的栅极接地，其源极与电源连接，其漏极分别与第二PMOS管的栅极、以及第一NMOS管的漏极和栅极连接，第一NMOS管的源极接地；第二PMOS管的源极与电源连接，其漏极分别与第一电容的上极板和第一反相器的输入端连接，第一电容的下极板接地，第一反相器的输出端分别与第三PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、以及负反馈模块连接；第二NMOS管的源极接第一电阻的一端，第一电阻的另一端接地，第二NMOS管的漏极分别与第三PMOS管的漏极，第四PMOS管的漏极、第五PMOS管的漏极、第二电容的上极板、以及第二反相器的输入端连接；第四PMOS管的栅极接地，其源极与电源连接；第五PMOS管的源极与电源连接，其栅极与负反馈模块相连；第二电容的下极板接地；第二反相器的输出端经过几个反相器整形后与非易失性存储器芯片连接，用于作为上电复位模块的输出端。

在本发明实施例上述的上电复位电路中，所述负反馈模块包括：第六PMOS管、第二电阻、第三NMOS管，

第六PMOS管的源极与电源连接，其栅极接地，其漏极分别与第五PMOS管的栅极、第二电阻的一端连接；第二电阻的另一端与第三NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的源极接地，第三NMOS管的栅极与第一反相器的输出端连接。

在本发明实施例上述的上电复位电路中，第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管均为同类型的PMOS管。

在本发明实施例上述的上电复位电路中，第一电阻和第二电阻均为同类型且温度系数相同的电阻。

在本发明实施例上述的上电复位电路中，所述上电复位电路在-40℃～+85℃、全工艺角情况下，上电复位电压在1.3V～1.6V之间。