[发明专利]非易失性存储器件

说明书

一种非易失性存储器件可以包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据读取信号集中的每一个读取信号集对多个存储单元中所选择的存储单元的每个页数据进行锁存，其中每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平并且基于检测到的劣化水平确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0029752的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及非易失性存储器件。

背景技术

半导体存储器件可以大致分为易失性半导体存储器件和非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件具有快速的读写速度，但是当电源中断时所存储的数据可能消失。另一方面，即使在电源中断时，非易失性半导体存储器件也可以保持所存储的数据。因此，非易失性半导体存储器件可以用于存储无论是否供电都需要保存的数据。

闪存器件可以是一种非易失性存储器件。这种闪存器件广泛用作诸如计算机、蜂窝电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、录像机、录音机、MP3播放器、手持式PC、游戏机、传真机、扫描仪和打印机等信息设备的音频和视频数据存储介质。近来，正在开发用于高容量、高速和低功率非易失性存储器件的技术，以将非易失性存储器件安装在诸如智能手机等的移动设备中。

发明内容

根据本发明构思的示例实施例，公开了一种能够执行数据处理操作的非易失性存储器件及其数据处理方法，在该数据处理操作中，使错误比特的产生减少(或者最小化)。

本发明构思的示例实施例涉及一种非易失性存储器件，其被配置为执行多个感测操作以识别存储单元的特定状态，并且从感测操作的结果中选择并输出期望的(或者最佳的)数据。

根据发明构思的示例实施例，一种非易失性存储器件包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集被配置为根据相应读取信号集对存储单元的相应页数据进行锁存，读取信号集中的每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平，并且基于劣化水平来确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。

根据发明构思的示例实施例，一种非易失性存储器件包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据相应读取信号集对存储单元的相应页数据进行锁存，读取信号集包括先前读取信号集和后续读取信号集；以及控制逻辑器件，被配置为基于先前读取信号集来检测存储单元的劣化水平，并且基于存储单元的劣化水平来确定应用于后续读取信号集的读取参数。

根据发明构思的示例实施例，一种非易失性存储器件包括：页缓冲单元，连接到包括多个存储单元的存储单元阵列，页缓冲单元包括被配置为存储存储单元的页数据的多个页缓冲器；以及控制逻辑器件，被配置为将页缓冲器分组为多个计数部分，并且基于多个计数部分中的至少一个计数部分的计数值来定义存储单元的读取操作的误差排除范围。

附图说明

根据结合附图给出的以下具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：

图1是示出了根据本发明构思的示例实施例的非易失性存储器件的框图；

图2是示出了图1中所示的单元阵列和页缓冲器的配置的框图；

图3是图1和图2中所示的页缓冲器的示意性框图；

图4是示出了读取存储单元的常规方法的示意图；

图5是示出了根据本发明构思的示例实施例的读取非易失性存储器件的方法的流程图；

图6是示出了根据本发明构思的示例实施例的OCVS读取操作的流程图；