[发明专利]一种硅锭的制备方法和铸锭用坩埚在审
| 申请号： | 201910066782.1 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109778311A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;何亮;徐云飞;毛伟;李建敏 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅锭 坩埚 铸锭 坩埚本体 氮化硅层 硅片层 制备 侧壁内表面 金属杂质 硅纯度 边部 阻隔 扩散 | ||
1.一种铸锭用坩埚，其特征在于，包括坩埚本体、设置在所述坩埚本体底部和侧壁内表面的氮化硅层、以及设置在所述坩埚本体底部和所述氮化硅层之间的第一硅片层，所述第一硅片层的硅纯度大于99.9999％。
2.如权利要求1所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚本体侧壁靠近所述底部的一端设置有第二硅片层，所述第二硅片层置于所述侧壁和所述氮化硅层之间。
3.如权利要求2所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述第二硅片层的高度占所述坩埚本体侧壁高度的1/10-1/5。
4.如权利要求2所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述第二硅片层的高度为50-200mm。
5.如权利要求2所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述第一硅片层和/或所述第二硅片层由若干块硅片拼接而成，任意相邻两块所述硅片之间的间距为1-5μm。
6.如权利要求2所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述第一硅片层和/或所述第二硅片层的厚度为50-500μm。
7.如权利要求2所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述第一硅片层通过粘结剂固定在所述坩埚本体底部内表面，所述第二硅片层通过所述粘结剂固定在所述坩埚本体侧壁内表面。
8.如权利要求5所述的铸锭用坩埚，其特征在于，所述硅片包括多晶硅片、单晶硅片和微晶硅片中的一种或多种。
9.一种硅锭的制备方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1-8任意一项所述的铸锭用坩埚；
在所述铸锭用坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层，在所述籽晶层上方填装硅料，加热使所述铸锭用坩埚内所述硅料熔化成硅熔体；待所述籽晶层内的所述籽晶未完全融化时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶；
待全部所述硅熔体结晶完后，经退火冷却得到硅锭。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述籽晶包括单晶硅籽晶或多晶硅籽晶。
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