[发明专利]旋转锌镁靶材及其制备方法在审
申请号: | 201910067522.6 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN109628899A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 曹兴民 | 申请(专利权)人: | 苏州罗纳尔材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C18/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 孙刚 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 靶材 衬管 浇铸 锌镁 制备 电阻炉坩埚 圆柱形结构 重量百分比 合金材料 金属衬管 缺陷问题 溶液表面 顺序凝固 锌镁合金 氧化燃烧 接合 镁元素 外周壁 中空的 包覆 浮渣 排渣 缩孔 筒形 排气 模具 冷却 铸造 | ||
本发明公开了旋转锌镁靶材及其制备方法,其是一种圆柱形结构,其包括中空的筒形的金属衬管,以及包覆在所述衬管外周壁上的靶材层;所述靶材层为锌镁合金,其中,镁的重量百分比为2~5%,其余为锌。本发明把合金材料直接浇铸在衬管上,与衬管的接合强度高。采用电阻炉坩埚下浇的方法,避免溶液表面的氧化浮渣进入模具,避免浇铸过程镁元素的氧化燃烧。采用由下向上的顺序凝固方法,结合浇铸速度和冷却速度的控制,可以达到排气排渣、避免缩孔,解决铸造的常见缺陷问题。
技术领域
本发明涉及一种旋转锌镁靶材及其制备方法。
背景技术
氧化锌(ZnO)薄膜是一种有广泛应用前景的直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子结合能为60meV,具有光电、光敏、压电和压敏等特性。随着研究的深入,发现适当掺杂及制备工艺的改变,可以在一定程度上优化薄膜的光、电、磁等特性,其中ZnMgO薄膜作为一种新兴的光电材料具有独特的优势,Mg掺杂可以有效调节ZnO和MgO形成的三元化合物Zn1-xMgxO的禁带宽度,并且其对可见光的透过率提高至85%以上。因而,ZnMgO薄膜在紫外探测器、平板显示器、紫外发光器件等领域具有广泛的应用前景。ZnMgO薄膜的制备方法有很多种,其中通过ZnMg二元合金靶材,在适当的氩气和氧气环境下反应溅射,在基体上形成ZnMgO薄膜,是一种可以大面积生产的制备方法。镀膜靶材分形状为平面靶材和旋转靶材,平面靶材的利用率为30%左右,而旋转靶材的利用率在80%以上。旋转靶材具有利用率高,使用周期长,减少了换靶时间,并且镀膜均匀的优势。因此旋转靶材是目前及以后靶材的一个主流制备及使用方式。
发明内容
本发明提供一种采用真空铸造的方式生产的旋转锌镁靶材。
本发明的技术方案是提供一种旋转锌镁靶材,其是一种圆柱形结构,其特征在于:
其包括中空的筒形的金属衬管,以及包覆在所述衬管外周壁上的靶材层;所述靶材层为锌镁合金,其中,镁的重量百分比为2~5%,其余为锌。
优选的,所述靶材层的长度为500~4000mm,厚度5mm~20mm。
优选的,所述靶材层通过浇铸的方式在所述衬管上。
优选的,所述靶材层两端均设置有环形凸出的密封环。
本发明还提供一种制备方法,其包括以下步骤:
1)在真空环境下,向熔炼炉中加入块状或粉状的锌,然后加入覆盖剂,加热熔化,加热温度为450~750℃;
2)在真空环境下,加入块状或粉状的镁,加热熔化,加热温度为450~750℃;
3)在真空环境下,搅拌,使得锌和镁充分混合,得到混合熔液;
4)在真空环境下,将衬管固定在模具内,将步骤3得到的混合熔液浇铸在模具与衬管之间的间隙;
5)冷却,使得混合熔液凝固形成管坯;
6)外观加工,将冷却后的管坯,根据磁控溅射机台尺寸要求,利用车床加工外径及两端的密封环。
优选的,所述步骤4)中,从模具底部注入混合熔液进行浇铸;模具浇铸熔液上升速度为400~500mm/分钟;浇铸温度450~550℃。
优选的,所述步骤5)中,将水雾冷却器放进衬管底部,由电机驱动水雾冷却器由下向上移动,冷却得到管坯;水雾冷却器提升速度200~500mm/分钟。
优选的,所述模具为铸铁模具。
优选的,所述熔炼炉为下浇式的电阻炉。
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