[发明专利]在半导体装置中改善重迭效能的结构及方法

权利要求书

1.一种方法，其包含：

在衬底上形成第一层多层装置；

在该第一层的第一区带中形成第一套迭标记；

在该第一层的顶部上形成非透明层；

通过将至少一部分的材料从该非透明层的预选定区域移除，以在该非透明层中形成窗口，其中，该预选定区域在该第一层的该第一区带上垂直对准，并且该窗口提供对所述第一套迭标记的光学存取；

在该非透明层及该窗口的顶部上形成第二层；

在该第二层的第二区带中形成第二套迭标记；以及

通过使介于所述第一套迭标记与所述第二套迭标记之间的光学对比强度平衡，从所述第一套迭标记及所述第二套迭标记的各者获得位置信息。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该非透明层中形成窗口包含蚀刻该非透明层。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包含：

在该第一层的该第一区带的预选定部分的顶部上的该非透明层上形成图型化光阻。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包含：

在该非透明层上进行一或多个光刻工艺，以将该非透明层的一部分从与该第一层的该第一区带的该预选定部分垂直对准的该预选定区域移除。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

使用所述第一套迭标记及所述第二套迭标记，定位该衬底上的结构化特征。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包含：

基于从所述第一套迭标记及所述第二套迭标记的各者获得的该位置信息，确定该衬底上形成的结构化特征的套迭准确度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一套迭标记及所述第二套迭标记具有不同图型。

8.一种用于形成半导体装置的方法，其包含：

提供衬底；

在衬底上沉积第一层材料，该第一层材料具有顶部表面及底部表面；

在该第一层材料的区带中形成第一套迭标记；

在该第一层材料的顶部上形成非透明材料层，该非透明材料层具有顶部表面及底部表面，该非透明材料层的该底部表面接触该第一层材料的该顶部表面，其中，该非透明材料层包覆该第一层材料的该区带；

通过将该非透明材料层的一部分从与该第一层材料的该区带垂直对准的该非透明材料层的区域选择性移除，以在该非透明材料层中形成窗口，其中，该窗口提供对所述第一套迭标记的光学存取；

在该非透明材料层及该窗口的顶部上形成第二层材料，该第二层材料具有顶部表面及底部表面，该第二层材料的该底部表面接触该非透明材料层的该顶部表面；

在该第二层材料中形成第二套迭标记；以及

使用所述第一套迭标记及所述第二套迭标记，通过使介于所述第一套迭标记与所述第二套迭标记之间的光学对比强度平衡，定位该衬底上的结构化特征。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在该非透明材料层中形成窗口包含蚀刻该非透明材料层。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包含：

在该第一层材料的该区带的预选定部分的顶部上的该非透明材料层上形成图型化光阻。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包含：

在该非透明材料层上进行一或多个光刻工艺，以将该非透明材料层的一部分从与该第一层材料的该区带的该预选定部分垂直对准的该区域移除。

12.如权利要求8所述的方法，进一步包含：

从所述第一套迭标记及所述第二套迭标记的各者获得位置信息。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包含：

基于从所述第一套迭标记及所述第二套迭标记的各者获得的该位置信息，确定该衬底上形成的结构化特征的套迭准确度。