[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一图形区、第二图形区和辅助区，形成于所述第一图形区的目标图形尺寸小于形成于所述第二图形区的目标图形尺寸；

在所述第一图形区和所述辅助区的基底上形成第一掩膜图形；

形成所述第一掩膜图形后，在所述第二图形区和所述辅助区的基底上形成第二掩膜图形，在所述辅助区内，所述第二掩膜图形覆盖所述第一掩膜图形；

以所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形为掩膜，刻蚀所述基底，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一图形区和所述辅助区内形成第一掩膜图形的步骤包括：

在所述第一图形区和所述辅助区的基底上形成若干分立的核心层；

形成保形覆盖所述基底和核心层的侧墙材料层；

刻蚀所述侧墙材料层，在所述核心层的侧壁上形成与所述核心层延伸方向相同的第一掩膜图形；

去除所述核心层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述侧墙材料层，在所述核心层的侧壁上形成与所述核心层延伸方向相同的第一掩膜图形的步骤包括：

刻蚀去除位于所述基底顶部以及所述核心层顶部的侧墙材料层，保留围绕所述核心层的侧墙组，所述侧墙组包括位于所述核心层侧壁且与所述核心层延伸方向相同的侧墙以及连接所述侧墙的侧墙连接部，所述侧墙作为所述第一掩膜图形。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙组之后，还包括：

刻蚀去除所述侧墙连接部。

5.如权利要求3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第二图形区和所述辅助区内形成第二掩膜图形的步骤包括：

在所述第一掩膜图形露出的基底上形成掩膜材料层，所述掩膜材料层覆盖所述第一掩膜图形；

刻蚀所述掩膜材料层，形成所述第二掩膜图形，其中，所述辅助区内的任一第二掩膜图形至少覆盖一个第一掩膜图形。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜图形的步骤中，任一所述第二掩膜图形覆盖相邻两个第一掩膜图形。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述侧墙材料层。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成掩膜材料层的步骤中，所述掩膜材料层和第一掩膜图形的材料刻蚀选择比大于10。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜图形的材料为无定型锗、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种；

所述第二掩膜图形的材料为无定型锗、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述辅助区与所述第一图形区以及所述第二图形区相邻。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在提供基底的步骤中，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极材料层和位于所述栅极材料层上的硬掩膜材料层；

所述以所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形为掩膜，刻蚀所述基底，形成目标图形的步骤包括：以所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形为掩膜，刻蚀所述硬掩膜材料层和所述栅极材料层，在所述第一图形区和所述第二图形区形成栅极结构，在所述辅助区形成伪栅极结构。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

去除所述伪栅极结构。