[发明专利]一种达林顿晶体管参数的测试方法

权利要求书

1.一种达林顿晶体管参数的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一. 选取被测试达林顿晶体管，并将其放置到测试压爪（2）中，利用连接线（1）将测试压爪（2）和测试系统（5）的测试站（3）接上；

步骤二. 测试BVCEO参数：在示波器上观测BVCEO的波形，改变连接线（1）的长度，观测是否消除自激震荡；

步骤三. 若消除自激震荡，则BVCEO测试值为实际值；若没有消除自激震荡，则进行步骤四；

步骤四. 在测试站（3）的测试主机（4）上，选通K210，并闭合，即在测试站（3）的BV、CV端口间并入300P/2KV阻尼电容，通过示波器观测BVCEO的波形，判断是否消除自激震荡；

步骤五. 若消除自激震荡，则BVCEO测试值为实际值；若没有消除自激震荡，则进行步骤六；

步骤六. 在测试站（3）的测试主机（4）上，再选通K202，并闭合，即在测试站（3）内部的偏置电流IC回路中串联10KΩ电阻，通过示波器观测BVCEO的波形，可完全消除自激震荡，输出BVCEO测试值；

步骤七. 测试饱和压降VCES参数：先选几十只达林顿晶体管测试其放大倍数HFE值的范围；

步骤八. 再根据公式HFE=IC/IB，求基极电流IB的值；其中，达林顿晶体管标准值参数饱和压降VCES2.0V，集电极电流IC=5A；

步骤九. 将饱和压降测试参数VCES2.0V及求得的基极电流IB值输入测试程序中，测出饱和压降VCES的实际测试值。

2.根据权利要求1所述的一种达林顿晶体管参数的测试方法，其特征在于：在测试BVCEO参数时，采用示波器来监控BVCEO的波形；

若观测到BVCEO的波形发生高低抖动变化，且曲线有毛边，说明BVCEO测试过程中产生了自激震荡，导致BVCEO参数测试不准；

当测试站（3）的测试频率f_测试与达林顿晶体管的基极B、集电极C连接线间的分布电容C_分耦合的空间干扰信号f_分一致时，则BVCEO测试过程中会产生自激震荡。

3.根据权利要求2所述的一种达林顿晶体管参数的测试方法，其特征在于：消除自激震荡：根据公式f_分=1/K*R_分*C_分，f_测试=1/K*R*C_结电容，其中，R_分为达林顿晶体管的基极B、集电极C连接线间的电阻；C_分为达林顿晶体管的基极B、集电极C连接线间的分布电容；C_结电容为测试站（3）端口CV、BV间的电容；R为测试站（3）内部偏置电流IC回路的电阻；K为常数；

若增大f_分，则打破f_分=f_测试的条件，自激震荡停止：减短测试压爪（2）和测试站（3）间连接线（1）的长度，相当于减小了连接线（1）正对面积S，根据公式C_分=εS/4πkd，可降低C_分，进而改变了f_分；

若降低f_测试，则打破f_分=f_测试的条件，自激震荡停止：

a、在测试站（3）的BV、CV端口间并入300P/2KV阻尼电容，等效于C_结电容增大，进而改变了f_测试；

b、在测试站（3）内部的偏置电流IC回路中串联10KΩ阻尼电阻，等效于R增大，进而也改变了f_测试；

通过改变f_分或f_测试均可以消除自激震荡。