[发明专利]一种达林顿晶体管参数的测试方法

说明书

本发明属于达林顿晶体管技术领域，涉及一种达林顿晶体管参数的测试方法，包括如下步骤：在测试BVCEO参数过程中，通过示波器观测是否有自激震荡；在达林顿晶体管的基极B、集电极C间并入300P/2KV阻尼电容；在偏置电流IC的回路中串联10KΩ电阻来消除自激震荡；在测试饱和压降VCES参数时，通过降低集电极电流IB的输入值，得出最终测试饱和压降VCES的值，有效避免了因Ib电流过大，导致的产品烧坏；本发明的测试方法可以有效的消除达林顿管BVCEO误测的问题，同时通过减小IB电流值来避免产品被烧坏，提高了达林顿管的质量及可靠性。

技术领域

本发明涉及一种测试方法，具体是一种达林顿晶体管参数的测试方法，属于达林顿晶体管技术领域。

背景技术

达林顿晶体管是一种半导体复合管，由于其结构为两个晶体管复合而成，所以其放大倍数大，有的几千倍，甚至上万倍。达林顿管因其有很高的放大系数，广泛应用于电力电子，发动机，发电机组，纺织机械，汽车空调风扇调节器中。一般晶体管的参数BVCEO，在耐压击穿点（B点）附近，随着电流的增大，BVCEO也增大（正阻性）如图1所示。而达林顿管却相反，随着电流的增大，BVCEO先增大到A点，然后却减小（负阻性）到耐压击穿点（B点），即曲线出现了回扫现象，然后发生击穿，如图2所示；在实际测试应用中，由于回扫现象导致经常发现达林顿晶体管的BVCEO电压测试偏大，导致不准确；同时测试参数饱和压降VCES时，由于基极电流IB太大，还出现原本测试合格的达林顿管在复测时发现有产品烧坏，多次复测会多次发现达林顿管损坏的问题，严重影响了达林顿管的质量及可靠性。

发明内容

本发明的目的是克服现有达林顿晶体管测试种问题，提供一种达林顿晶体管参数的测试方法，在测试BVCEO参数时，通过在测试站的BV和CV端口间并联阻尼电容及在偏置电流IC的回路中串联阻尼电阻，可以有效的消除达林顿管BVCEO误测的问题；通过减小基极电流IB，可以避免产品被烧坏。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：一种达林顿晶体管参数的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一. 选取被测试达林顿晶体管，并将其放置到测试压爪中，利用连接线将测试压爪和测试系统的测试站接上；

步骤二. 测试BVCEO参数：在示波器上观测BVCEO的波形，改变连接线的长度，观测是否消除自激震荡；

步骤三. 若消除自激震荡，则BVCEO测试值为实际值；若没有消除自激震荡，则进行步骤四；

步骤四. 在测试站的测试主机上，选通K210，并闭合，即在测试站的BV、CV端口间并入300P/2KV阻尼电容，通过示波器观测BVCEO的波形，判断是否消除自激震荡；

步骤五. 若消除自激震荡，则BVCEO测试值为实际值；若没有消除自激震荡，则进行步骤六；

步骤六. 在测试站的测试主机上，再选通K202，并闭合，即在测试站内部的偏置电流IC回路中串联10KΩ电阻，通过示波器观测BVCEO的波形，可完全消除自激震荡，输出BVCEO测试值；

步骤七. 测试饱和压降VCES参数：先选几十只达林顿晶体管测试其放大倍数HFE值的范围；

步骤八. 再根据公式HFE=IC/IB，求基极电流IB的值；其中，达林顿晶体管标准值参数饱和压降VCES2.0V，集电极电流IC=5A；

步骤九. 将饱和压降测试参数VCES2.0V及求得的集电极电流IB值输入测试程序中，测出饱和压降VCES的实际测试值。

进一步地，在测试BVCEO参数时，采用示波器来监控BVCEO的波形；

若观测到BVCEO的波形发生高低抖动变化，且曲线有毛边，说明BVCEO测试过程中产生了自激振荡，导致BVCEO参数测试不准；