[发明专利]覆膜形成用组合物以及使用其的覆膜形成方法在审
申请号: | 201910073632.3 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN109971344A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 尾崎祐树;佐竹升;河户俊二;小林政一 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
主分类号: | C09D183/14 | 分类号: | C09D183/14;C09D183/16;C09D7/63;B05D3/04;B05D3/06;B05D7/04;C08J7/04;C08L67/02 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 卢森堡国*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆膜 形成用组合物 气体阻隔性能 组合物涂布 聚硅氮烷 聚硅氧烷 有机溶剂 基板 羟基 羧基 曝光 | ||
1.一种覆膜形成用组合物,其特征在于包含由下述通式(1)表示的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂,
式中,
R11分别独立地是碳原子数1~3的烷基,
R12各自独立地为碳原子数1~8的烃基或者-R13-N-R142,此处,R13为碳原子数1~5的烃基,R14分别独立地为氢或者碳原子数1~3的烃基,
其中,相对于所述聚硅氮烷100重量份,包含所述聚硅氧烷0.01~25重量份,
所述聚硅氮烷包含下述通式(4)的结构,
式中,R21各自独立地为从由氢原子、烷基、烯基、环烷基、芳基、烷氧基、氨基以及甲硅烷基组成的组中选出的基团,式中的R21中的至少一个为氢原子,除了氢原子以外的基团也可被一个或者一个以上的从由卤素原子、烷基、烷氧基、氨基、甲硅烷基以及烷基甲硅烷基组成的组中选出的基团取代。
2.根据权利要求1所述的覆膜形成用组合物,其中,所述R12是从由甲基、乙基、丙基、氨基甲基、氨基乙基、氨基丙基以及N-乙氨基-2-甲基丙基组成的组中选出的基团。
3.根据权利要求1所述的覆膜形成用组合物,其中,所述R21各自独立地为从由氢、烷基、烯基、芳基、烷基甲硅烷基以及烷氧基甲硅烷基烷基组成的组中选出的基团。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的覆膜形成用组合物,其中,所述有机溶剂包含芳香族烃、饱和烃化合物、脂环式烃化合物或者烷基醚这样的溶剂中的一种以上。
5.一种覆膜形成方法,其特征在于包含下述的工序:
(1)将权利要求1~4中任一项所述的覆膜形成用组合物涂布于基板上而形成涂膜的涂布工序,以及
(2)对所述涂膜照射光的曝光工序。
6.根据权利要求5所述的覆膜形成方法,其中,所述基板是塑料薄膜。
7.根据权利要求5或6所述的覆膜形成方法,其中,所述涂膜的厚度为10nm以上900nm以下。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的覆膜形成方法,其中,所述光的波长为161~248nm。
9.根据权利要求5~8中任一项所述的方法,其中,所述曝光工序在非活性气体气氛下进行。
10.根据权利要求5~9中任一项所述的方法,其中,在所述覆膜形成方法中,在从形成涂膜到获得覆膜之间,不需将涂膜置于200℃以上的温度中。
11.一种覆膜,其特征在于通过利用权利要求5~10中任一项所述的方法而制造。
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