[发明专利]覆膜形成用组合物以及使用其的覆膜形成方法

说明书

【课题】本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。【解决方案】一种覆膜形成用组合物，其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂；以及一种覆膜形成方法，其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。

本发明是2014年9月16日申请的发明名称为“覆膜形成用组合物以及使用其的覆膜形成方法”的第201480050972.X号发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于制造覆膜的组合物以及使用了该组合物的覆膜形成方法，所述覆膜可用于制造显示设备、半导体元件，并且气体阻隔性能高。

背景技术

硅质膜的硬度及密闭性比较高，因而在半导体元件的制造领域中被应用于各种用途，具体而言，应用于基板或电路等的硬涂膜、气体阻隔膜、基材强度提高膜等用途中。关于这样的硅质膜，人们正在研究各种硅质膜。

其中，特别正在研究气体阻隔性能优异的覆膜的形成方法。在这些方法中，通常使用聚硅氮烷作为覆膜生成材料。例如，在专利文献1中，公开了一种将多个气体阻隔膜进行层叠而制造气体阻隔薄膜的方法；在专利文献2中，公开了一种在基板的两面分别形成了防紫外线层以及气体阻隔膜的气体阻隔薄膜；在专利文献3中公开了一种包含防渗出层、具有防紫外线性的层以及根据需要的氟树脂层的气体阻隔性薄膜。任一个都在气体阻隔膜的材料的一部分中使用了聚硅氮烷材料。另外在专利文献4中，公开了一种在水蒸气的存在下对包含催化剂的聚硅氮烷膜照射真空紫外线(波长230nm以下)以及紫外线(波长230～300nm)，从而形成气体阻隔膜的方法，另外，在专利文献5中，公开了一种在氮气气氛下对由包含过渡金属的聚硅氮烷组合物形成的涂膜照射真空紫外线(波长230nm以下)而形成气体阻隔膜的方法。

但根据本发明人的研究，由以聚硅氮烷为主要成分的覆膜形成材料形成的覆膜的气体阻隔性能常常不充分，人们期望开发出一种可形成气体阻隔性进一步得以改良的覆膜的覆膜形成用组合物以及覆膜形成方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-173057号公报

专利文献2：日本特开2011-194766号公报

专利文献3：日本特开2012-006154号公报

专利文献4：日本特表2009-503157号公报

专利文献5：日本特开2012-148416号公报

专利文献6：美国专利第6329487号说明书

发明内容

发明想要解决的课题

本发明鉴于上述课题，想要提供一种气体阻隔性能更优异的覆膜以及可形成这样的覆膜的覆膜形成用组合物以及覆膜形成方法。

用于解决问题的方案

本发明的覆膜形成用组合物的特征在于，其包含由下述通式(1)表示的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂，

[化学式1]