[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910073831.4 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN110098222A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 李德重;郭惠珍;金雅珑;朴正善;房贤圣 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张晓;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素电极 有机发光显示设备 辅助电极 开口 覆盖 像素限定层 像素区域 顶表面 非像素区域 底切结构 显示区域 对电极 中间层 凹陷 基底 制造 暴露
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:

基底,在显示区域中包括多个像素区域和多个非像素区域;

多个像素电极,分别与所述多个像素区域对应;

像素限定层,包括覆盖部和开口,其中,所述覆盖部覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘,并且所述开口中的每个开口使所述多个像素电极之中的对应的像素电极的中心部分暴露;

辅助电极,被定位为使得所述辅助电极与所述覆盖部的顶表面的至少一部分对应;以及

中间层和对电极,均位于所述开口中,

其中,所述像素限定层具有底切结构,在所述底切结构中,所述覆盖部的所述顶表面的所述至少一部分从所述辅助电极凹陷。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述中间层包括发射层、位于所述发射层下方的下功能层和位于所述发射层上方的上功能层,

其中,所述中间层的至少一部分位于所述辅助电极上方,并且所述下功能层的位于所述辅助电极上方的至少一部分与所述下功能层的位于所述开口内部的部分间隔开。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备,其中,所述下功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述中间层包括有机发射层、位于所述有机发射层下方的下功能层和位于所述有机发射层上方的上功能层,

其中,所述辅助电极的厚度大于所述下功能层的厚度。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述辅助电极具有网格形式,所述网格形式具有与所述像素限定层的所述开口对应的通孔。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述对电极的宽度大于所述中间层的宽度。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述对电极的端部部分朝向所述辅助电极延伸并与所述辅助电极接触。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述辅助电极包括钼和钛中的至少一种,并且所述对电极包括具有Yb/Ag:Mg/ITO的多层结构。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,电连接到所述多个像素电极的多个薄膜晶体管位于所述基底上。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括位于所述显示区域中的薄膜封装层,所述薄膜封装层包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。

11.一种制造有机发光显示设备的方法,所述方法包括以下步骤:

提供其上形成有多个像素电极的基底;

形成包括覆盖部和开口的像素限定层,其中,所述覆盖部覆盖所述多个像素电极之中的相邻像素电极的边缘,并且所述开口分别使所述多个像素电极中的每个像素电极的中心部分暴露;

形成辅助电极使得所述辅助电极与所述覆盖部的顶表面的至少一部分对应;

通过蚀刻所述覆盖部的侧表面形成底切结构,在所述底切结构中,所述覆盖部的所述顶表面的所述至少一部分从所述辅助电极凹陷;以及

形成第一掩模层,使得所述多个像素电极之中的第一像素电极被暴露,然后在所述第一像素电极上形成第一中间层和第一对电极。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,利用同一光致抗蚀剂图案来执行形成所述辅助电极的步骤和形成所述底切结构的步骤。

13.根据权利要求11所述的方法,其中:

所述像素限定层包括有机材料,并且

通过使用氧等离子体的干蚀刻来执行蚀刻所述覆盖部的所述侧表面的步骤。

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