[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

说明书

提供了有机发光显示设备及其制造方法。所述有机发光显示设备包括：基底，在显示区域中包括多个像素区域和多个非像素区域；多个像素电极，分别与所述多个像素区域对应；像素限定层，包括覆盖部和开口，其中，覆盖部覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，并且开口中的每个开口使所述多个像素电极之中的对应的像素电极的中心部分暴露；辅助电极，被定位为使得辅助电极与覆盖部的顶表面的至少一部分对应；以及中间层和对电极，均位于开口中。像素限定层可以具有其中覆盖部的顶表面的所述至少一部分从辅助电极凹陷的底切结构。

于2018年1月29日在韩国知识产权局提交的并且发明名称为“有机发光显示设备及其制造方法”的第10-2018-0010846号韩国专利申请通过引用其全部而包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种制造有机发光显示设备的方法。

背景技术

由于诸如宽视角、高对比度和快速响应时间的优点，有机发光显示设备作为下一代显示设备已经引起了关注。此外，有机发光显示设备不需要单独的光源，并且可以在低电压下操作且具有质轻且薄的设计。

有机发光显示设备包括位于显示区域中的有机发光器件(OLED)，并且OLED包括彼此面对的像素电极和对电极以及位于像素电极与对电极之间并包括发射层的中间层。

发明内容

实施例涉及一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：基底，在显示区域中包括多个像素区域和多个非像素区域；多个像素电极，分别与所述多个像素区域对应；像素限定层，包括覆盖部和开口，其中，覆盖部覆盖所述多个像素电极中的每个像素电极的边缘，并且开口中的每个开口使所述多个像素电极之中的对应的像素电极的中心部分暴露；辅助电极，被定位为使得辅助电极与覆盖部的顶表面的至少一部分对应；以及中间层和对电极，均位于开口中。像素限定层可以具有其中覆盖部的顶表面的所述至少一部分从辅助电极凹陷的底切结构。

中间层可以包括发射层、位于发射层下方的下功能层和位于发射层上方的上功能层。中间层的至少一部分可以位于辅助电极上方。下功能层的位于辅助电极上方的至少一部分可以与下功能层的位于开口内部的部分间隔开。

下功能层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

中间层可以包括有机发射层、位于有机发射层下方的下功能层和位于有机发射层上方的上功能层。辅助电极的厚度可以大于下功能层的厚度。

辅助电极可以具有网格形式，该网格形式具有与像素限定层的开口对应的通孔。

对电极的宽度可以大于中间层的宽度。

对电极的端部部分可以朝向辅助电极延伸并与辅助电极接触。

辅助电极可以包括钼(Mo)和钛(Ti)中的至少一种，并且对电极可以包括具有Yb/Ag:Mg/ITO的多层结构。

电连接到所述多个像素电极的多个薄膜晶体管(TFT)可以位于基底上。

所述有机发光显示设备还可以包括位于显示区域中的薄膜封装层。薄膜封装层可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。

实施例也涉及一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：提供其上形成有多个像素电极的基底；以及形成包括覆盖部和开口的像素限定层。覆盖部可以覆盖所述多个像素电极之中的相邻像素电极的边缘。开口可以分别使所述多个像素电极中的每个像素电极的中心部分暴露。所述方法还可以包括以下步骤：形成辅助电极使得辅助电极与覆盖部的顶表面的至少一部分对应；通过蚀刻覆盖部的侧表面形成底切结构，在底切结构中覆盖部的顶表面的所述至少一部分从辅助电极凹陷；以及形成第一掩模层，使得所述多个像素电极之中的第一像素电极被暴露，然后在第一像素电极上形成第一中间层和第一对电极。

可以利用同一光致抗蚀剂图案来执行形成辅助电极的步骤和形成底切结构的步骤。