[发明专利]高强度高频辐射抗干扰窗口测试装置及工艺

说明书

本发明揭示了一种高强度高频辐射抗干扰窗口测试装置及工艺，包括：包括信号发生器、功率放大器、定向耦合器、天线、全波暗室、场强探头、测试桌、控制设备，其中，所述信号发生器、功率放大器、定向耦合器和控制设备均设于所述全波暗室外；所述天线、场强探头和测试桌设于所述全波暗室内，且所述天线与测试桌的相对距离小于3m；所述信号发生器分别与所述控制设备和功率放大器电连接，所述功率放大器分别与所述信号发生器和定向耦合器电连接，所述定向耦合器分别与所述控制设备和天线电连接。本发明具有适用性强，成本低，可靠性高，稳定性强，数据具有一致性等优点。

技术领域

本发明涉及到检测领域，特别涉及到一种高强度高频辐射抗干扰窗口测试装置及其工艺。

背景技术

伴随着电子技术的发展，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分，电子产品或多或少都会向外部空间辐射电磁干扰同时也会受到外部电磁干扰的影响。特别是最近这些年无线技术的飞速发展，手机通讯已经从2G，3G，4G面向5G发展了，智能产品已经走入千家万户导致外部空间的电磁环境也越来越糟糕，电磁兼容成为所有电子产品都必须面对的问题。特别是辐射抗干扰问题，对于一些敏感的电子设备，辐射抗干扰会对产品的工作状态，工作性能，工作模式产生影响。处理不当可能会导致重大的损失。

辐射抗干扰测试主要是评估当电子产品处在正常工作状态下出现了电磁干扰是否会对其工作性能产生影响，本发明只针对1GHz到6GHz的高频部分进行阐述，常规的测试方法是全面辐射抗干扰测试法。

全面辐射抗干扰测试法：简称“全面辐射法”，对产品测试之前需要对场地进行校准，以确保发射天线发射到被测产品的场强满足要求，测试和校准都需要在全波暗室里面进行，全面辐射法要求被测设备全部浸入到均匀面上，发射天线到被测设备的距离为3m，按常规的被测尺寸的大小，校准至少需要在1.5m*1.5m场均匀面进行，在一个平面上至少要求校准16个点，在同一个信号发生器的发射等级下，在16个点产生的场强偏差在0-6dB以内，才认为校准面是均匀的场强。

目前技术存在以下缺点：

1)产生的辐射场强值小，适用范围较窄。

E(V/m)＝(30*P*G)0.5/d

根据场强计算公式如上，其中P为功放的输出功率，G为发射天线的增益，d为天线到场强探头的距离。

当信号发生器输出1dBm功率时，由于功放的功率只有45W，天线增益为9dBi，根据场强公式推算，其3m距离能产生的最大场强为36V/m，这还是属于理想情况，实际校准当中还需要留有一部分余量，一般会保留3dB的余量，以防止信号发生器和功率放大器过载，保护测试设备，所以实际校准的时候，在3m距离出只能得到24V/m的场强，而且不均匀，不能在16个校准点达到0-6dB的偏差要求，所以校准出来的场强值远远达不到测试的54V/m要求。

2)只能测试尺寸大小不超过1.5m*1.5m的设备。由于受制于校准面大小和场强均匀性的要求，最大的被测设备不能超过校准面大小，否则就不满足全面测试法的要求。

3)需要校准16个位置点，校准流程繁杂。

发明内容

本发明的目的是提供一种高强度高频辐射抗干扰窗口测试装置及工艺，使高频辐射抗干扰测试更经济，更方便，更快捷，适用性更广泛。

本发明提出一种高强度高频辐射抗干扰窗口测试装置，其特征在于，包括信号发生器、功率放大器、定向耦合器、天线、全波暗室、场强探头、测试桌、控制设备，其中，

上述信号发生器、功率放大器、定向耦合器和控制设备均设于上述全波暗室外；上述天线、场强探头和测试桌设于上述全波暗室内，且上述天线与测试桌的相对距离小于3m；