[发明专利]一种后栅极形成方法

权利要求书

1.一种后栅极形成方法，其特征在于，提供一衬底，所述衬底上设有源漏极，所述源漏极上设有介质层，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、在所述衬底上形成栅极以及覆盖所述栅极的层间介质层；

步骤二、在所述层间介质层的表面悬涂抗反射层，并刻蚀该抗反射层至露出所述栅极顶部的层间介质层为止；

步骤三、对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀至所述栅极顶部的层间介质层厚度与所述源漏极上的介质层厚度相当，之后去除所述抗反射层；

步骤四、对所述层间介质层进行研磨，研磨至所述栅极顶部露出为止；

步骤五、对所述栅极进行刻蚀，形成栅极凹槽；

步骤六、对所述栅极凹槽沉积一层栅极介质层，之后再对凹槽填充金属材料，所述金属材料覆盖所述层间介质层和所述凹槽上表面；

步骤七、去除所述层间介质层和所述凹槽上表面的金属材料后形成金属材料和所述层间介质层齐平的上表面。

2.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤一中在所述衬底上形成的栅极为相互间隔的多个栅极。

3.根据权利要求2所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤一中所述栅极为伪栅极层叠结构，包括多晶硅栅以及覆盖该多晶硅栅的上表面和侧壁的隔离层。

4.根据权利要求3所述的后栅极形成方法，其特征在于：所述隔离层为氮化硅隔离层。

5.根据权利要求4所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤四中露出所述栅极顶部的研磨包括去掉所述多晶硅栅上表面的氮化硅隔离层，露出所述多晶硅栅为止。

6.根据权利要求5所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤五中对所述栅极进行刻蚀包括完全去掉所述多晶硅栅并保留所述多晶硅栅侧壁的氮化硅隔离层。

7.根据权利要求1或6所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤一中所述层间介质层为氧化硅隔离层。

8.根据权利要求7所述的后栅极形成方法，其特征在于：所述氧化硅隔离层采用化学气相沉积的方法形成。

9.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤六中对所述栅极凹槽填充的金属材料为铝。

10.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤七中去除所述金属材料的方法为化学机械研磨方法。

11.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤二中的所述抗反射层材料为有机抗反射涂层。

12.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤三中的所述层间介质层厚度为4000A-6000A。

13.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤三中所述栅极顶部的层间介质层厚度与所述源漏极上的介质层厚度相差不超过150A。

14.根据权利要求1所述的后栅极形成方法，其特征在于：步骤六中的所述栅极介质层的材料为二氧化硅和功函数材料；所述功函数材料包括钛及氮化钛。

15.根据权利要求14所述的后栅极形成方法，其特征在于：用快速热氧化方式进行栅极介质层二氧化硅进行沉积，用原子层沉积方式沉积功函数材料。