[发明专利]一种可降低干扰的二级电源产生电路

权利要求书

1.一种可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于，所述电路至少包括：

含有VPOS电源电压的高压放电电路、二级电源VDDI产生电路、电容器C0、电阻R0、第四NMOS管、第四PMOS管；

所述高压放电电路还包括有三个PMOS管：P0管、P1管和P2管；三个NMOS管：N0管、N1管和N2管；所述P0管的源极接所述VPOS电源电压的一端，其漏极与所述P1管的栅极、N0管的漏极连接；所述N0管的源极与所述N1管的漏极连接，所述N1管的源极与所述N2管的漏极连接；所述N2管的源极接地；所述P0管的栅极与所述N1管的栅极连接；所述P1管的源极与所述VPOS电源电压的另一端连接，所述P1管的漏极与所述P2管的源极连接，所述P2管的漏极与所述VPOS电源电压的放电节点以及所述电容器C0的上极板连接；

所述二级电源VDDI产生电路包括有两个NMOS管：NN0管、N3管以及一个POS管：P3管；所述NN0管的源极与一电容器C1的上极板共同连接于所述VPOS电源电压的输出节点；所述NN0管的漏极和栅极连接内部电源的一端，该内部电源的另一端连接P3管的源极，所述P3管的栅极和漏极与所述N3管的栅极和漏极连接；所述N3管的源极与所述电容器C1的下极板共同连接于第四NMOS管的源极；

所述电容器C0的上极板连接所述VPOS电源电压的输出节点以及所述第四PMOS管的源极，该电容器C0的下极板连接电阻R0一端以及第四NMOS管的栅极；该电阻R0的另一端连接所述第四NMOS管的漏极、所述第四PMOS管的漏极及其栅极；所述第四NMOS管的源极极接地；

所述二级电源VDDI产生电路的输出端与所述电容器C0的上极板以及所述第四PMOS管的源极的连接。

2.根据权利要求1所述的可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于：高压阶段，所述P0管的栅极与所述N1管的栅极共同接低电位；所述P2管的栅极接高电位。

3.根据权利要求2所述的可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于：高压阶段，所述P2管的栅极电位与所述二级电源VDDI产生电路的输出端电位相同。

4.根据权利要求3所述的可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于：所述P0管栅极与所述N1管栅极接高电位，该高电位与所述二级电源VDDI产生电路的输出端电位相同；P2管的栅极接低电位。

5.根据权利要求4所述的可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于：所述VPOS电源电压的输出节点的电位比所述二级电源VDDI产生电路的输出端电位高3V以上。

6.根据权利要求5所述的可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于：所述N2管的栅极接偏置电压NBIAS。