[发明专利]使用不同蚀刻组合物的各向异性蚀刻

权利要求书

1.一种对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体带的方法，其中，所述方法包括以下步骤：

(i)使所述导电层结构经受第一蚀刻组合物，从而形成具有底表面和侧壁表面的凹陷，其中，所述第一蚀刻组合物包括蚀刻剂和蚀刻抑制剂；

(ii)在步骤(i)之后，使所述导电层结构经受第二蚀刻组合物，所述第二蚀刻组合物与所述第一蚀刻组合物不同，

其中，所述第二蚀刻组合物被配置用于：从所述凹陷的所述底表面选择性地去除所述蚀刻抑制剂；和/或从所述凹陷的所述底表面选择性地去除在施加所述第一蚀刻组合物之后形成的抑制层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻组合物具有7或更高的pH值。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二蚀刻组合物的pH值高于所述第一蚀刻组合物的pH值。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二蚀刻组合物的pH值比所述第一蚀刻组合物的pH值高至少3个pH单位。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二蚀刻组合物还包括流变添加剂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述流变添加剂选自由二氧化硅、羟乙基纤维素、页硅酸盐和尿素组成的组。

7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括以下步骤：

(iii)在步骤(ii)之后，使所述导电层结构经受第三蚀刻组合物，所述第三蚀刻组合物与所述第一蚀刻组合物和所述第二蚀刻组合物都不同。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第三蚀刻组合物包括蚀刻剂并且不含蚀刻抑制剂。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，使所述导电层结构经受减法蚀刻程序以形成所述导体带。

10.一种用于对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体带的装置(100)，其中，所述装置包括：

第一蚀刻级(110)，所述第一蚀刻级被配置用于使所述导电层结构经受第一蚀刻组合物，从而形成具有底表面和侧壁表面的凹陷，其中，所述第一蚀刻组合物包括蚀刻剂和蚀刻抑制剂；

第二蚀刻级(120)，所述第二蚀刻级被配置用于随后使所述导电层结构经受第二蚀刻组合物，所述第二蚀刻组合物与所述第一蚀刻组合物不同，

其中，所述第二蚀刻组合物被配置用于：从所述凹陷的所述底表面选择性地去除所述蚀刻抑制剂；和/或从所述凹陷的所述底表面选择性地去除在施加所述第一蚀刻组合物之后形成的抑制层。

11.根据权利要求10所述的装置(100)，还包括第三蚀刻级(130)，所述第三蚀刻级被配置用于随后使所述导电层结构经受第三蚀刻组合物，所述第三蚀刻组合物与所述第一蚀刻组合物和所述第二蚀刻组合物都不同。

12.一种具有矩形的横截面的导体带，所述导体带是通过根据权利要求1至9中任一项所述的方法和/或根据权利要求10或11所述的装置形成的，其中，上部三分之一的横截面积(A1)与中部三分之一的横截面积(A2)之间的比率在介于0.8至1.2之间的范围内，并且所述中部三分之一的横截面积(A2)与下部三分之一的横截面积(A3)之间的比率在介于0.8至1.2之间的范围内。

13.一种第一导体带和侧向直接相邻的第二导体带的设置，所述设置的第一导体带和/或第二导体带是通过根据权利要求1至9中任一项所述的方法和/或根据权利要求10或11所述的装置形成的，所述第一导体带和所述第二导体带两者都具有矩形的横截面，其中，所述导体带的上平台之间的距离(A)与所述导体带的下端部之间的距离(B)之间的比率在介于0.7至1.3之间的范围内。