[发明专利]使用不同蚀刻组合物的各向异性蚀刻有效

专利信息
申请号: 201910081548.6 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN110098118B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 克洛采克·约兰塔;克里韦茨·托马斯 申请(专利权)人: 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/67
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 王晖;李丙林
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 不同 蚀刻 组合 各向异性
【说明书】:

提供一种对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体带的方法,其中该方法包括以下步骤:使导电层结构经受第一蚀刻组合物,并且随后使导电层结构经受与第一蚀刻组合物不同的第二蚀刻组合物。此外,提供了一种用于蚀刻导电层结构的装置、导体带、至少两个导体带的布置以及部件承载件。

技术领域

发明涉及一种蚀刻导电层结构的方法(下文中,也简称为“蚀刻工艺”)、一种用于蚀刻导电层结构的装置(下文中,也简称为“蚀刻装置”)、导体带(conductor track)、至少两个导体带的布置以及部件承载件。

背景技术

在配备有一个或多个部件的部件承载件的产品功能增加并且这种部件的小型化增强以及越来越多的部件要安装在诸如印刷电路板(PCB)的部件承载件上的背景下,正在采用越来越强大的具有若干部件的类阵列部件或封装件,它们具有多个触点或连接,其中这些触点之间的空间越来越小。

特别地,PCB工业面临的任务是调整所生产的印刷电路板的尺寸以顺应小型化需求。由于钻孔、电路路径和它们离彼此的距离的新尺寸,有必要实现新的蚀刻技术,特别是新的铜蚀刻工艺。尽管铜蚀刻工艺是印刷电路板制作中最重要的步骤之一,但是在制造期间处理铜仍然是一项具有挑战性的任务。在如图1所示的常规各向同性铜蚀刻工艺中,当待蚀刻的铜膜在基板上形成并且部分被掩模覆盖(作为用于图案化的底片(negative)模板)时,由于各向同性蚀刻可以在掩模下方形成底切,导致粘附性差。另外,各向同性蚀刻可能不能形成非常精细的蚀刻的结构,而各向同性蚀刻可能被相应的精细掩模结构阻挡。

产生具有30微米及以下电路路径的精细结构可能需要各向异性蚀刻工艺。在印刷电路板的情况下,期望蚀刻(特别是铜去除)更多地在竖直方向而不是在横向方向上发生。由此,可以获得规则结构并且可以避免近路。理想的各向异性蚀刻工艺如图2所示,其中蚀刻仅在竖直方向上发生,而不在PCB的横向方向上发生,因此不形成底切。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种蚀刻工艺和蚀刻装置,其允许导电层结构的各向异性蚀刻和/或允许形成具有基本上为规则形状的导体带,特别是具有基本上竖直的侧壁,从而提高了部件承载件诸如印刷电路板的整体质量。

为了实现以上定义的目的,根据本申请的实施方式提供了蚀刻导电层结构的方法、用于蚀刻导电层结构的装置、导体带、至少两个导体带的布置以及部件承载件。

根据本发明的示例性实施方式,对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体带的方法包括以下步骤:(i)使导电层结构经受第一蚀刻组合物,以及(ii)随后(即在步骤(i)之后)使(预蚀刻的)导电层结构经受与第一蚀刻组合物不同的第二蚀刻组合物。

根据本发明的另一示例性实施方式,一种用于对部件承载件的导电层结构进行蚀刻以形成导体带的装置包括:第一蚀刻级,被配置用于使导电层结构经受第一蚀刻组合物;以及第二蚀刻级,被配置用于随后使(预蚀刻的)导电层结构经受与第一蚀刻组合物不同的第二蚀刻组合物。

根据本发明的又一示例性实施方式,提供了一种具有基本上为矩形横截面的导体带,其中上部三分之一的横截面积与中部三分之一的横截面积之间的比率在介于0.8至1.2之间的范围内,并且中部三分之一的横截面积与下部三分之一的横截面积之间的比率在介于0.8至1.2之间的范围内。在实施方式中,导体带可以通过如本文所述的蚀刻工艺和/或借助于如本文所述的蚀刻装置形成。

根据本发明的又一示例性实施方式,提供了第一导体带和侧向直接相邻的第二导体带的布置,该第一导体和第二导体带两者都具有基本上为矩形的横截面,其中导体带的上平台之间的距离与导体带的下端部之间的距离之间的比率在介于0.7至1.3之间的范围内。在实施方式中,该布置的第一导体带和/或第二导体带(特别是两个导体带)可以通过如本文所述的蚀刻工艺和/或借助于如本文所述的蚀刻装置形成。

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