[发明专利]融合型存储器

权利要求书

1.一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：

块体衬底；

块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；

第一界面层，位于沟道之上；

铁电层，位于第一界面层之上；

第二界面层，位于铁电层之上；

栅极，位于第二界面层之上；

栅极电压控制器，该控制器电性连接至所述存储器单元的栅极，用于控制栅极电压工作在第一电压或第二电压，所述第一电压的绝对值小于铁电层发生极化翻转的翻转电压，所述第二电压的绝对值大于铁电层发生极化翻转的翻转电压。

2.根据权利要求1所述的融合型存储器，其特征在于，所述铁电层材料为掺杂的HfO_x，ZrO_x，PZT，BFO或BST。

3.根据权利要求1所述的融合型存储器，其特征在于，铁电层层中的掺杂元素为Si，Zr，Hf，Al，Y，Gd，La，Sr，Ti，和/或N。

4.根据权利要求1所述的融合型存储器，其特征在于，所述多个存储器单元形成3D堆叠结构。