[发明专利]一种咔唑-N-基二苯乙烯基三苯胺衍生物空穴传输材料及其制备方法

权利要求书

1.一种咔唑-N-基二苯乙烯基三苯胺衍生物空穴传输材料；其特征是结构式(1)如下：

其中R为C_1-10的支链/直连烷基、C_1-10的烷氧基、乙烯基、二苯胺基、咔唑基。

2.权利要求1的空穴传输材料，其特征是R为如下结构：

3.权利要求1的空穴传输材料的制备方法，其特征是包括如下步骤：1)苯甲酮咔唑衍生物的合成；2)三苯胺苯甲醛叶利德盐的制备；3)酮羰基转化为双键生成目标化合物。

4.权利要求1的空穴传输材料的制备方法，其特征是苯甲酮咔唑衍生物结构式(2)如下：

5.权利要求1的空穴传输材料的制备方法，其特征是三苯胺苯甲醛叶利德盐结构式(3)如下：

6.权利要求1所述的苯乙烯咔唑三苯胺空穴传输材料应用于有机发光器件的制备。

7.权利要求1所述的苯乙烯咔唑三苯胺空穴传输材料应用于染料敏化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池。

8.权利要求1所述的苯乙烯咔唑三苯胺空穴传输材料采用溶液法制备有机薄膜器件。