[发明专利]一种ITO导电膜制作工艺

权利要求书

1.一种I TO导电膜制作工艺，其特征在于，包括以下制作步骤：

步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍；

步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空；

步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一I TO层后，冷却至室温；

步骤四：对第一I TO层镀层表面进行抛光；

步骤五：将步骤四沉积第一I TO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；

步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜；

步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。

2.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述基材厚度30μm～200μm，基材的可见光透过率为93％以上，基材为树脂基体。

3.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述第一ITO层镀层表面表面粗糙度不高于2.5nm。

4.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5％的氧化铟和重量百分含量为5.5％的氧化锡组成。

5.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压160～170V，磁场强度1100G～1450G，工艺气体采用氩气与氧气混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2.5:1.2。

6.根据权利要求1所述的一种I TO导电膜制作工艺,其特征在于，所述ITO导电膜检测数据符合以下标准：面电阻：200～250Ω/m²，面电阻均匀性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光线透过率：≥93％，表面硬度(铅笔硬度)：≥3H。