[发明专利]一种ITO导电膜制作工艺

说明书

本发明公开一种ITO导电膜制作工艺，包括以下制作步骤：步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍,步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空,步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温,步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光,步骤五：沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温,步骤六：冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜,步骤七：将ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。

技术领域

本发明涉及一种ITO领域，具体是一种ITO导电膜制作工艺。

背景技术

ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。近年来，随着半导体制造技术的突飞猛进，诸如光电池、平面显示器、LED照明、触摸屏等新器件迅速发展起来并大量运用到我们的日常生活中。这些新器件都要用到透明导电膜作为受光面或者是发光面电极。在常规的透明导电膜里，ITO(氧化铟锡混合物)膜是最常用，也是性能最好的一种。针对这种情况，现提出一种ITO导电膜制作工艺，ITO层与树脂基体之间的结合力强的效果，产品的透过率高、电阻率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ITO导电膜制作工艺，ITO层与树脂基体之间的结合力强的效果，产品的透过率高、电阻率低，生产过程中基材进行彻底的清洁和抛光，提高了附着性能，同时也提高了薄膜的使用寿命。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种ITO导电膜制作工艺，包括以下制作步骤：

步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍。

步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空。

步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温。

步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光。

步骤五：将步骤四沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温。

步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜。

步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。

进一步地，所述基材厚度30μm～200μm，基材的可见光透过率为93％以上，基材为树脂基体。

进一步地，所述第一ITO层镀层表面表面粗糙度不高于2.5nm。

进一步地，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5％的氧化铟和重量百分含量为5.5％的氧化锡组成。

进一步地，所述磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压160～170V，磁场强度1100G～1450G，工艺气体采用氩气与氧气混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2.5:1.2。

进一步地，所述ITO导电膜检测数据符合以下标准：面电阻：200～250Ω/m ²，面电阻均匀性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光线透过率：≥93％，表面硬度(铅笔硬度)：≥3H。

本发明的有益效果：