[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

多个栅电极，位于基底上，所述多个栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，所述多个栅电极在第二方向上是台阶式的且所述多个栅电极的延伸长度从最下面的水平朝向最上面的水平逐渐减小，第二方向基本平行于基底的上表面，所述多个栅电极在其沿第二方向的端部处包括垫，垫具有比所述多个栅电极中的相应的栅电极的其它部分的厚度大的厚度；

沟道，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极；以及

接触塞，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极，接触塞接触所述多个栅电极之中的第一栅电极的垫使得垫电连接到接触塞，并且与所述多个栅电极之中的第二栅电极电绝缘。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，

第二栅电极位于第一栅电极下方，

接触塞延伸穿过第二栅电极中的每个第二栅电极的一部分，所述一部分不是垫。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

第一绝缘图案，位于接触塞与第二栅电极中的每个第二栅电极之间，第一绝缘图案覆盖接触塞的侧壁。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

共源极线，位于基底上，共源极线在第二方向上延伸穿过所述多个栅电极。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，接触塞和共源极线包括基本相同的材料。

6.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，所述多个栅电极、接触塞和共源极线包括基本相同的材料。

7.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

第二绝缘图案，位于共源极线与所述多个栅电极中的每个栅电极之间，第二绝缘图案覆盖共源极线的侧壁。

8.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

电路图案，位于基底上；

绝缘层间层，位于基底上，绝缘层间层覆盖电路图案，接触塞至少部分地延伸穿过绝缘层间层以电连接到电路图案；以及

基体图案，位于绝缘层间层上，基体图案具有形成在其上的所述多个栅电极和沟道。

9.根据权利要求8所述的垂直存储器装置，其中，基体图案包括硅。

10.根据权利要求8所述的垂直存储器装置，其中，基底包括：

单元阵列区域，在第二方向上位于基底的中央部分处，单元阵列区域具有形成在其上的沟道和共源极线；以及

垫区域，在第二方向上位于基底的边缘部分处，垫区域具有形成在其上的所述多个栅电极的垫和接触塞。

11.根据权利要求10所述的垂直存储器装置，其中，基体图案仅形成在基底的单元阵列区域上。

12.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

电路图案，位于基底上，基底包括单元阵列区域和垫区域；

绝缘层间层，覆盖电路图案；

基体图案，位于在基底的单元阵列区域上的绝缘层间层上；

多个栅电极，在基体图案和绝缘层间层上沿第一方向彼此分隔开，第一方向基本垂直于基底的上表面；

沟道，延伸穿过在基底的单元阵列区域上的所述多个栅电极；以及

接触塞，延伸穿过在基底的垫区域上的所述多个栅电极和绝缘层间层，使得接触塞电连接到所述多个栅电极中的一个栅电极和电路图案。

13.根据权利要求12所述的垂直存储器装置，其中，所述多个栅电极中的每个栅电极包括位于基底的垫区域上的垫，所述多个栅电极中的至少一个栅电极的垫的厚度大于所述多个栅电极中的所述至少一个栅电极的其它部分的厚度。