[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法

说明书

公开了一种垂直存储器装置及其制造方法。该垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极、延伸穿过栅电极的沟道以及延伸穿过栅电极的接触塞。栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，并且布置为具有阶梯形状，该阶梯形状包括其的在基本平行于上表面的第二方向上的延伸长度从最下面的水平朝向最上面的水平逐渐减小的台阶。在每个栅电极的沿第二方向的端部处的垫具有比所述每个栅电极的其它部分的厚度大的厚度。沟道在第一方向上延伸。接触塞在第一方向上延伸。接触塞接触栅电极之中的第一栅电极的垫以电连接到第一栅电极，并且与栅电极之中的第二栅电极电绝缘。

本申请要求于2018年4月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0046048号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及一种垂直存储器装置和/或一种制造该垂直存储器装置的方法。例如，至少一些示例实施例涉及一种包括接触塞的垂直存储器装置和/或一种制造该垂直存储器装置的方法。

背景技术

在制造外围上单元(COP)结构的VNAND闪存装置中，会通过单独的工艺形成共源极线(CSL)和接触塞，因此工艺的数量会增加。另外，难于形成仅接触相应的垫的多个接触塞。

发明内容

示例实施例提供了一种具有改善的电气特性的垂直存储器装置。

示例实施例提供了一种制造具有改善的电气特性的垂直存储器装置的方法。

至少一些示例实施例涉及垂直存储器装置。在一些示例实施例中，所述垂直存储器装置可以包括：多个栅电极，位于基底上，所述多个栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，所述多个栅电极在第二方向上是台阶式的且所述多个栅电极的延伸长度从最下面的水平朝向最上面的水平逐渐减小，第二方向基本平行于基底的上表面，所述多个栅电极在其沿第二方向的端部处包括垫，垫具有比所述多个栅电极中的相应的栅电极的其它部分的厚度大的厚度；沟道，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极；以及接触塞，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极，接触塞接触所述多个栅电极之中的第一栅电极的垫使得垫电连接到接触塞，并且与所述多个栅电极之中的第二栅电极电绝缘。

至少一些示例实施例涉及垂直存储器装置。在一些示例实施例中，所述垂直存储器装置包括：电路图案，位于基底上，基底包括单元阵列区域和垫区域；绝缘层间层，覆盖电路图案；基体图案，位于在基底的单元阵列区域上的绝缘层间层上；多个栅电极，在基体图案和绝缘层间层上沿第一方向彼此分隔开，第一方向基本垂直于基底的上表面；沟道，延伸穿过在基底的单元阵列区域上的所述多个栅电极；以及接触塞，延伸穿过在基底的垫区域上的所述多个栅电极和绝缘层间层，使得接触塞电连接到所述多个栅电极中的一个栅电极和电路图案。

至少一些示例实施例涉及垂直存储器装置。在一些示例实施例中，所述垂直存储器装置包括：多个栅电极，位于基底上，所述多个栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，所述多个栅电极中的每个栅电极的第一部分具有大于所述每个栅电极的其它部分的厚度的厚度；沟道，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极；以及多个接触塞，每个接触塞延伸穿过所述多个栅电极中的相应的栅电极的第一部分，使得所述多个接触塞电连接到所述相应的栅电极并且与所述多个栅电极中的其它栅电极电绝缘。

至少一些示例实施例涉及制造垂直存储器装置的方法。在一些示例实施例中，所述方法包括：在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向交替并重复地堆叠第一绝缘层和牺牲层，基底包括单元阵列区域和垫区域；形成在第一方向上穿过第一绝缘层和牺牲层的沟道；形成穿过第一绝缘层和牺牲层的在基底的单元阵列区域和垫区域上的部分的第一开口；形成穿过第一绝缘层和牺牲层的在基底的垫区域上的部分的第二开口；经由第一开口和第二开口去除牺牲层，以形成位于第一绝缘层之间的多个间隙；在所述多个间隙中的每个间隙中形成栅电极；以及同时在第一开口和第二开口中分别形成共源极线(CSL)和接触塞。