[发明专利]阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

一栅极金属层，所述栅极金属层设置在所述基板上；

一层间介质层，所述层间介质层设置在所述基板以及所述栅极金属层上；

一电极层，所述电极层设置在所述层间介质层上；

一配向层，所述配向层设置在所述电极层上；以及

一调节介质层，所述调节介质层设置在所述栅极金属层以及所述配向层之间的区域并与所述层间介质层以及所述电极层相连，所述调节介质层用于降低所述栅极金属层与所述电极层之间的寄生电容。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层的介电常数小于所述层间介质层的介电常数；所述调节介质层设置于在所述基板上并将所述栅极金属层包覆，所述调节介质层的上表面与所述电极层的下表面以及所述配向层的下表面连接，所述调节介质层四周与所述层间介质层连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层的介电常数为2～4。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层为光刻胶材料。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层为采用光刻胶材料进行涂布并光刻形成。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层的介电常数大于所述层间介质层的介电常数；

所述调节介质层与所述栅极金属层相对，所述调节介质层设置在所述层间介质层上，且所述调节介质层的四周与所述电极层相连，所述调节介质层的上表面与所述配向层的下表面相连。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层的介电常数大于10。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层为氮化硅层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述调节介质层包括第一调节介质层以及第二调节介质层；

所述第二调节介质层设置在所述基板上并将所述栅极金属层包覆，所述第二调节介质层的上表面与所述电极层的下表面以及所述第一调节介质层的下表面连接，所述第二调节介质层四周与所述层间介质层连接，所述第二调节介质层的介电常数小于所述层间介质层的介电常数；

所述第一调节介质层与所述栅极金属层相对，所述第一调节介质层设置在所述第二调节介质层上，且所述第一调节介质层的四周与所述电极层相连，所述第一调节介质层的上表面与所述配向层的下表面相连；所述第一调节介质层的介电常数大于所述层间介质层的介电常数。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二调节介质层为氮化硅层，其介电常数为6～8；所述第一调节介质层采用介电常数大于10的非金属绝缘材料制成。