[发明专利]阵列基板

说明书

本申请实施例的阵列基板，通过采用调节介质层来降低栅极金属层与电极层之间的寄生电容，从而避免边缘电场及周围环境的影响而出现暗纹现象，进而提高显示质量。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板。

背景技术

HVA(High Vertical Alignment，高垂直排列)模式主要是负性液晶在加电过程中，受到电场力的作用会发生转动，通过紫外光照射后在配向膜上形成一层聚合物膜层，即液晶经过HVA过程在配向膜上形成特定的预倾角。

一般阵列基板会在像素电极开口区存在金属走线，在HVA制程中，当在阵列基板和彩膜基板上同步加电固化液晶过程中，此时会形成边缘电场，从而干扰液晶的转动和配向效果。由于受边缘电场及周围环境的影响会出现暗纹现象。

发明内容

本申请实施例的目的提供一种阵列基板，以解决受边缘电场及周围环境的影响会出现暗纹现象的技术问题。

本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：

基板；

一栅极金属层，所述栅极金属层设置在所述基板上；

一层间介质层，所述层间介质层设置在所述基板以及所述栅极金属层上；

一电极层，所述电极层设置在所述层间介质层上；

一配向层，所述配向层设置在所述电极层上；以及

一调节介质层，所述调节介质层设置在所述栅极金属层以及所述配向层之间的区域并与所述层间介质层以及所述电极层相连，所述调节介质层用于降低所述栅极金属层与所述电极层之间的寄生电容。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层的介电常数小于所述层间介质层的介电常数；所述调节介质层设置于在所述基板上并将所述栅极金属层包覆，所述调节介质层的上表面与所述电极层的下表面以及所述配向层的下表面连接，所述调节介质层四周与所述层间介质层连接。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层的介电常数为2～4。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层为光刻胶材料。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层为采用光刻胶材料进行涂布并光刻形成。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层的介电常数大于所述层间介质层的介电常数；

所述调节介质层与所述栅极金属层相对，所述调节介质层设置在所述层间介质层上，且所述调节介质层的四周与所述电极层相连，所述调节介质层的上表面与所述配向层的下表面相连。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层的介电常数大于10。

在本申请所述的阵列基板中，所述层间介质层为氮化硅层。

在本申请所述的阵列基板中，所述调节介质层包括第一调节介质层以及第二调节介质层；

所述第二调节介质层设置在所述基板上并将所述栅极金属层包覆，所述第二调节介质层的上表面与所述电极层的下表面以及所述第一调节介质层的下表面连接，所述第二调节介质层四周与所述层间介质层连接，所述第二调节介质层的介电常数小于所述层间介质层的介电常数；

所述第一调节介质层与所述栅极金属层相对，所述第一调节介质层设置在所述第二调节介质层上，且所述第一调节介质层的四周与所述电极层相连，所述第一调节介质层的上表面与所述配向层的下表面相连；所述第一调节介质层的介电常数大于所述层间介质层的介电常数。

在本申请所述的阵列基板中，所述第二调节介质层为氮化硅层，其介电常数为6～8；所述第一调节介质层采用介电常数大于10的非金属绝缘材料制成。